[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底、第一绝缘结构、第一导电图案、第二绝缘结构和第二导电图案，所述第一绝缘结构位于所述基底上，所述第一导电图案位于所述第一绝缘结构背离所述基底的一侧，所述第二绝缘结构位于所述第一导电图案背离所述基底的一侧，所述第二导电图案位于所述第二绝缘结构背离所述基底的一侧，所述第二导电图案在所述基底上的正投影与所述第一导电图案在所述基底上的正投影存在交叠，其中，所述第一绝缘结构包括第一绝缘部分和第二绝缘部分，所述第一绝缘部分位于所述第二绝缘部分远离所述基底的一侧，所述第一导电图案的下表面与所述第一绝缘部分的上表面在所述基底上的正投影重叠；

所述第一绝缘部分的侧面和所述第二绝缘部分的上表面接触形成第一二面角，所述第二绝缘结构在第一二面角位置处形成第二二面角，且所述第二绝缘结构在第二二面角位置处仅与所述第一绝缘结构相接触。

2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分为一体结构。

3.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第二导电图案在所述基底上的正投影覆盖所述第一导电图案在所述基底上的正投影。

4.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘结构的厚度大于所述第一绝缘结构的厚度。

5.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘结构在所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分在所述基底上投影重叠处的厚度大于所述第一绝缘结构在所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分在所述基底上投影不重叠处的厚度。

6.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘部分的厚度为200-500埃。

7.根据权利要求1所述阵列基板，所述阵列基板包括显示区和非显示区，在所述非显示区内设置有栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括至少一个电容，所述电容具有第一极板和第二极板，其特征在于，所述第一导电图案和所述第二导电图案分别为所述电容的第一极板和第二极板。

8.根据权利要求7所述阵列基板，其特征在于，所述栅极驱动电路还包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一导电图案与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，所述第二导电图案与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。

9.根据权利要求1所述阵列基板，所述阵列基板包括显示区和非显示区，在所述显示区内设置有像素驱动电路，所述像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一栅极和第二栅极，其特征在于，所述第一导电图案和所述第二导电图案分别为所述薄膜晶体管的第一栅极和第二栅极。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一绝缘结构与所述基底之间设置有缓冲层。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上依次形成第一绝缘结构和第一金属层，通过构图工艺，形成第一导电图案；

通过一次构图工艺，形成包括第一绝缘部分的图形，其中，所述第一绝缘结构包括第一绝缘部分和第二绝缘部分，所述第一绝缘部分位于所述第二绝缘部分远离所述基底的一侧，所述第一导电图案下表面与所述第一绝缘部分上表面在所述基底上的正投影重叠；

在所述第一导电图案上形成第二绝缘结构；

在所述第一绝缘部分的侧面和所述第二绝缘部分的上表面接触形成第一二面角，所述第二绝缘结构在第一二面角位置处形成第二二面角，且所述第二绝缘结构在第二二面角位置处仅与所述第一绝缘结构相接触；

在所述第二绝缘结构上形成第二金属层，并通过构图工艺，形成第二导电图案，其中，所述第二导电图案在基底上的正投影与所述第一导电图案在所述基底上的正投影存在交叠。

12.一种显示装置，包括权利要求1-10中任一项所述阵列基板。