[发明专利]一种半导体工艺腔室

说明书

本发明公开一种半导体工艺腔室，包括腔室、壳体、介质窗、线圈、热风罩和风道，壳体罩设在腔室上，介质窗位于壳体内并位于腔室的开口上，热风罩位于壳体内，线圈设于壳体内顶壁，风道与壳体固定，风道的通气端位于壳体外，风道的转接端位于壳体内，并与热风罩的风道口相连，本申请通过将热风罩与介质窗直接固定，并与内顶壁之间形成避让间隙，避免热风罩和壳体之间的相互挤压，进而避免壳体内顶壁应挤压变形造成线圈结构破坏，确保离子和自由基的分布均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术

刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片等半导体表面去除不需要的材料的过程，是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。在集成电路制造领域，常使用半导体工艺腔室并通过反应离子来实现刻蚀。

但是目前的半导体工艺腔室，其内部设置的热风罩，是通过壳体顶壁的挤压而固定在介质窗上的，这样热风罩将对壳体产生反作用力，具体为热风罩顶推壳体顶壁使其发生形变，进而造成位于壳体顶壁上的线圈的分布结构改变，从而影响离子和自由基的分布均匀性。

发明内容

本发明公开一种用于半导体工艺腔室，以解决壳体对热风罩挤压固定的方式将破坏的线圈分布结构，并引起离子和自由基分布不均的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种用于半导体工艺腔室，包括：腔室，所述腔室上方设有开口；壳体，所述壳体罩设置于所述开口上；介质窗，所述介质窗设置于所述壳体内且位于所述开口的上方；线圈，所述线圈环设于所述壳体的内顶壁上；热风罩，所述热风罩位于所述壳体内，且所述热风罩固定罩设于所述介质窗上，且所述热风罩与所述壳体的内顶壁之间具有避让间隙；所述线圈在所述介质窗上的投影位于所述热风罩的外侧；所述热风罩的内壁和所述介质窗的顶面围成加热腔；所述热风罩上设有与所述加热腔连通的至少两个风道口，用于向所述加热腔通入和排出气体；风道，所述风道与所述壳体固定连接，所述风道包括通气端和转接端，所述通气端位于所述壳体的外侧用于通气，所述转接端位于所述壳体内，所述转接端与所述风道口相连接，且所述转接端和所述风道口一一对应设置。

进一步的，所述热风罩的顶面设置凸台，所述风道口由所述凸台顶面贯通至所述加热腔，所述凸台的顶面和所述壳体的内顶壁之间具有所述避让间隙。

进一步的，所述热风罩还包括连接部，所述连接部固定于所述热风罩的外壁上，所述热风罩通过所述连接部固设于所述介质窗上。

进一步的，所述加热腔包括多个子加热腔，且每个所述子加热腔均与两个所述风道口连通，一个所述风道口为进气口用于进气，另一个所述风道口为排气口用于排气。

进一步的，所述加热腔包括多个同心设置的环腔和一个径向延伸的隔板，所述隔板将每个所述环腔对称分隔成两个所述子加热腔，且所述进气口和所述排气口均位于所述子加热腔的两端。

进一步的，相邻直径不同的两个所述子加热腔之间设有第一泄压孔，最靠近圆心的所述子加热腔上设有与加热腔外部连通的第二泄压孔。

进一步的，所述风道的数量为四个，包括两个进气风道和两个出气风道，每个所述进气风道和每个所述出气风道均设置有多个所述转接端；所述隔板一侧的各所述进气口与一个所述进气风道上的各所述转接端连通，所述隔板另一侧的各所述进气口与另一个所述进气风道上的各所述转接端连通；所述隔板一侧的各所述排气口与一个所述出气风道上的各所述转接端连通，所述隔板另一侧的各所述排气口与另一个所述出气风道上的各所述转接端连通。