[发明专利]一种半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室(2)，所述腔室(2)上方设有开口；

壳体(1)，所述壳体(1)罩设置于所述开口上；

介质窗(9)，所述介质窗(9)设置于所述壳体(1)内且位于所述开口的上方；

线圈(4)，所述线圈(4)环设于所述壳体(1)的内顶壁上；

热风罩(8)，所述热风罩(8)位于所述壳体(1)内，且所述热风罩(8)固定罩设于所述介质窗(9)上，且所述热风罩(8)与所述壳体(1)的内顶壁之间具有避让间隙(O)；所述线圈(4)在所述介质窗(9)上的投影位于所述热风罩(8)的外侧；

所述热风罩(8)的内壁和所述介质窗(9)的顶面围成加热腔(8C)；所述热风罩(8)上设有与所述加热腔(8C)连通的至少两个风道口(8A)，用于向所述加热腔(8C)通入和排出气体；

风道(6)，所述风道(6)与所述壳体(1)固定连接，所述风道(6)包括通气端(61)和转接端(62)，所述通气端(61)位于所述壳体(1)的外用于通气，所述转接端(62)位于所述壳体(1)内，所述转接端(62)与所述风道口(8A)相连接，且所述转接端(62)和所述风道口(8A)一一对应设置。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述热风罩(8)的顶面设置凸台，所述风道口(8A)由所述凸台顶面贯通至所述加热腔(8C)，所述凸台的顶面和所述壳体(1)的内顶壁之间具有所述避让间隙(O)。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述热风罩(8)还包括连接部(8B)，所述连接部(8B)固定于所述热风罩(8)的外壁上，所述热风罩(8)通过所述连接部(8B)固设于所述介质窗(9)上。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述加热腔(8C)包括多个子加热腔(8C1)，且每个所述子加热腔(8C1)均与两个所述风道口(8A)连通，一个所述风道口(8A)为进气口用于进气，另一个所述风道口(8A)为排气口用于排气。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述加热腔(8C)包括多个同心设置的环腔和一个径向延伸的隔板(8E)，所述隔板(8E)将每个所述环腔对称分隔成两个所述子加热腔(8C1)，且所述进气口和所述排气口均位于所述子加热腔(8C1)的两端。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于：相邻直径不同的两个所述子加热腔(8C1)之间设有第一泄压孔(8D1)，最靠近圆心的所述子加热腔(8C1)上设有与加热腔(8C)外部连通的第二泄压孔(8D2)。

7.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述风道(6)的数量为四个，包括两个进气风道(6A)和两个出气风道(6B)，每个所述进气风道(6A)和每个所述出气风道(6B)均设置有多个所述转接端(62)；

所述隔板(8E)一侧的各所述进气口与一个所述进气风道(6A)上的各所述转接端(62)连通，所述隔板(8E)另一侧的各所述进气口与另一个所述进气风道(6A)上的各所述转接端(62)连通；

所述隔板(8E)一侧的各所述排气口与一个所述出气风道(6B)上的各所述转接端(62)连通，所述隔板(8E)另一侧的各所述排气口与另一个所述出气风道(6B)上的各所述转接端(62)连通。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于：位于所述隔板(8E)一侧的所述进气风道(6A)、所述出气风道(6B)和该侧的各所述子加热腔(8C1)构成第一气路，位于所述隔板(8E)另一侧的所述进气风道(6A)、所述出气风道(6B)和该侧的各所述子加热腔(8C1)构成第二气路，所述第一气路的进气端用于和第一加热器(G1)的出风口的连通，所述第一气路的出气端用于和第二加热器(G2)的进风口的连通，所述第二气路的进气端用于和第二加热器(G2)的出风口的连通，所述第二气路的出气端用于和所述第一加热器(G1)的进风口的连通。