[发明专利]用于SMT工艺的固晶机有效
申请号: | 202110061563.1 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112885744B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 刘俊领;孙世英 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/48;H01L33/62;B23K1/00;B23K1/005;B23K3/04;B23K3/08 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 smt 工艺 固晶机 | ||
本申请公开了一种用于SMT工艺的固晶机,包括工作平台和转移装置,所述固晶机还包括设置于所述工作平台上方的激光回流焊装置,所述激光回流焊装置包括激光源和分光器;所述激光源发射的每一第一激光束经所述分光器分为若干激光束。本申请提供的用于SMT工艺的固晶机,转移装置与回流焊装置集成一体,固晶之后直接进行激光回流焊,减少了SMT工序,进而提高产线产能及良率;并且所述固晶机可以根据固晶效果来调整激光束数量,进而降低单束激光能量对产品的损伤。
技术领域
本申请涉及封装设备技术领域,尤其涉及激光封装技术领域,具体涉及一种用于SMT工艺的固晶机。
背景技术
Micro-LED与目前的LCD、OLED显示器件相比,具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势,可见Micro-LED的发展成为未来显示技术的热点之一。但是,Micro-LED的技术难点多且技术复杂,特别是其关键技术巨量转移技术、LED颗粒微型化成为技术瓶颈,而Mini-LED作为Micro-LED与背板结合的产物,具有高对比度、高显色性能等可与OLED相媲美的特点,成本稍高LCD,仅为OLED的六成左右,相对Micro-LED、OLED更易实施,所以MiniLED成为各大面板厂商布局热点。
Mini-LED产品工艺可以大分为:背板制作、白油制作、SMT打件、COF bonding、组装等工序完成;其中,SMT打件目的是将Mini LED转移到背板上,具体主要工序:上料、锡膏网印、SPI、LED转移、AOI、回流焊、AOI、自动返修机、封胶、点灯老化测试等。MiniLED相关研发的产品中,已知三安光电、国星光电等在向LED芯片固定胶镀锡的方案,减少了SMT工艺中锡膏印刷工序,即整合在LED转移工序中,减少SMT工艺流程。
本申请提供一种用于SMT工艺的固晶机,能将回流焊与LED转移整合在一起,即固晶之后直接进行激光回流焊,从而使锡膏与金属Cu形成共晶体。
发明内容
本申请实施例提供一种用于SMT工艺的固晶机,将回流焊与LED转移整合在一起,减少了SMT工序,进而提高产线产能及良率。
本申请实施例提供一种用于SMT工艺的固晶机,包括工作平台和转移装置,所述固晶机还包括设置于所述工作平台上方的激光回流焊装置,所述激光回流焊装置包括激光源和分光器;所述激光源发射的每一第一激光束经所述分光器分为若干激光束。
在一些实施例中,所述激光源发射的第一激光束的方向与经所述分光器后发射的激光束的方向相同。
在一些实施例中,所述分光器内设有第一反射膜组,所述第一反射膜组包括一第一全反膜和一第一半反膜。
在一些实施例中,在所述激光回流焊装置中,所述第一反射膜组将每一第一激光束一分为二,形成两条第二激光束。
在一些实施例中,所述第二激光束与所述第一激光束具有相同的发射方向。
在一些实施例中,所述分光器内还设有第二反射膜组,所述第二反射膜组包含一第二全反膜和一第二半反膜。
在一些实施例中,所述第二反射膜组将每一第二激光束一分为二,形成两条第三激光束。
在一些实施例中,所述第三激光束与所述第二激光束具有相同的发射方向。
在一些实施例中,在所述第一反射膜组中,所述第一全反膜与第一所述半反膜平行;以使所述第二激光束与所述第一激光束的发射方向相同。
在一些实施例中,所述第一半反膜与所述第一激光束之间的夹角为45°。
在一些实施例中,在所述第二反射膜组中,所述第二全反膜与第二所述半反膜平行;以使所述第三激光束与所述第一激光束的发射方向相同。
在一些实施例中,所述第二半反膜与所述第一半反膜平行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110061563.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造