[发明专利]交变磁场传感器及电子设备

说明书

本申请公开了一种交变磁场传感器及电子设备，该交变磁场传感器包括压电层和至少两个磁致变形件；所述磁致变形件上设置有凸起结构，所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层固定，所述磁致变形件用于挤压所述压电层，并使所述压电层产生电信号。本申请通过至少两个磁致变形件感应交变磁场，并通过凸起结构作用到压电层上，增加了交变磁场传感器的灵敏度。

技术领域

本申请属于传感器技术领域，具体涉及一种交变磁场传感器及电子设备。

背景技术

相关技术中，随着传感器技术的发展，为了避免电子设备中的元器件受到交变磁场的干扰，通常在电子设备内设置霍尔传感器、磁电传感器或磁阻传感器。

霍尔传感器是被动型传感器，需要外加电源才能够正常工作，霍尔传感器的功耗高，一致性不好，灵敏度低，温度特性差。现有磁电传感器的灵敏度低。磁阻传感器的量程范围小，容易对高强度的磁场饱和。

在实现本申请过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：现有技术中的传感器对于交变磁场传感器的灵敏度低，量程范围小。

发明内容

本申请旨在提供一种交变磁场传感器，至少解决现有技术中的传感器对于交变磁场传感器的灵敏度低，量程范围小的问题之一。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提出了一种交变磁场传感器，该交变磁场传感器包括压电层和至少两个磁致变形件；

所述磁致变形件上设置有凸起结构，所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层固定，所述磁致变形件用于挤压所述压电层，并使所述压电层产生电信号。

第二方面，本申请实施例提出了一种电子设备，该电子设备包括如上所述的交变磁场传感器。

本申请通过至少两个磁致变形件感应交变磁场，并通过凸起结构作用到压电层上，增加了交变磁场传感器的灵敏度。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本申请实施例的交流磁场传感器的结构示意图之一；

图2是根据本申请实施例的交流磁场传感器上设置弯折式支座的结构示意图；

图3是根据本申请实施例的交流磁场传感器上的磁致变形件的厚度呈梯度变化的结构示意图；

图4是根据本申请实施例的交流磁场传感器上设置的凸起结构为球形凸起的结构示意图；

图5是根据本申请实施例的球形支座的结构示意图；

图6是根据本申请实施例的交流磁场传感器的结构示意图之二。

附图标记：

1-压电层，2-磁致变形件，21-凸起结构，3-弯折式支座，4-球形支座，41-弹性杆，42-球形结构。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。