[发明专利]交变磁场传感器及电子设备在审
申请号: | 202110060600.7 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112904247A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 肖学军;余强模 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | G01R33/10 | 分类号: | G01R33/10;G01R33/06 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王永亮 |
地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁场 传感器 电子设备 | ||
1.一种交变磁场传感器,其特征在于,包括压电层和至少两个磁致变形件;
所述磁致变形件上设置有凸起结构,所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层固定,所述磁致变形件用于挤压所述压电层,并使所述压电层产生电信号。
2.根据权利要求1所述的交变磁场传感器,其特征在于,所述至少两个磁致变形件对称设置于所述压电层的两侧,所述凸起结构为齿状结构。
3.根据权利要求2所述的交变磁场传感器,其特征在于,所述压电层每侧设置至少两个所述磁致变形件;
在所述压电层的厚度方向上,每侧中的每个所述磁致变形件的尺寸不同。
4.根据权利要求2所述的交变磁场传感器,其特征在于,在位于所述压电层的两侧且相互对称的两个所述磁致变形件中,一个所述磁致变形件上的所述齿状结构与另一个磁致变形件上的所述齿状结构相互错开。
5.根据权利要求1所述的交变磁场传感器,其特征在于,所述至少两个磁致变形件对称设置于所述压电层的两侧,所述凸起结构包括多个球形凸起。
6.根据权利要求5所述的交变磁场传感器,其特征在于,多个球形凸起阵列排布在所述磁致变形件的表面。
7.根据权利要求6所述的交变磁场传感器,其特征在于,在位于所述压电层的两侧且相互对称的两个所述磁致变形件中,一个所述磁致变形件上的所述多个球形凸起与另一个磁致变形件上的所述球形凸起相互错开。
8.根据权利要求1所述的交变磁场传感器,其特征在于,所述至少两个磁致变形件围绕所述压电层的侧壁均匀分布,所述至少两个磁致变形件均通过所述凸起结构与所述压电层的侧壁固定;
所述压电层的结构为圆形板,在垂直于所述压电层的侧壁的方向上,每个所述磁致变形件的尺寸不同。
9.根据权利要求1所述的交变磁场传感器,其特征在于,还包括至少两个支座,所述支座具有弹性,所述支座的一端与所述压电层固定,所述支座的另一端用于与外部结构固定。
10.根据权利要求9所述的交变磁场传感器,其特征在于,所述支座包括弯折式支座或球形支座。
11.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-10任意一项所述的交变磁场传感器。
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