[发明专利]半导体器件的金属电极及其制造方法、以及其应用在审
| 申请号： | 202110059718.8 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112885717A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林大野;蔡钦铭;王治中 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/45 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属电极 及其 制造 方法 应用 | ||
1.一种半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成锗金层；
在所述锗金层上形成第一粘结金属层；
在所述第一粘结金属层上形成金层；
在所述金层上形成第二粘结金属层，即可完成半导体器件的金属电极的制备。
2.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，采用蒸镀工艺形成所述锗金层；和/或，
采用蒸镀工艺形成所述第一粘结金属层；和/或，
采用蒸镀工艺形成所述金层；和/或，
采用蒸镀工艺形成所述第二粘结金属层。
3.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，所述在所述金层上形成第二粘结金属层，即可完成半导体器件的金属电极的制备的步骤，包括：
在所述金层上形成第二粘结金属层，得到复合层体；
将所述复合层体加热至150～500℃，然后冷却，即可完成半导体器件的金属电极的制备。
4.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，所述锗金层的厚度为60～80nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，所述第一粘结金属层的厚度为10～20nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，所述金层的厚度为70～90nm。
7.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，所述第二粘结金属层的厚度为0.005～0.01nm。
8.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极的制造方法，其特征在于，所述第一粘结金属层为镍层或钛层；和/或，
所述第二粘结金属层为镍层或钛层。
9.一种半导体器件的金属电极，其特征在于，所述金属电极为权利要求1至8任意一项所述的半导体器件的金属电极的制造方法制得。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括金属电极，所述金属电极为权利要求9所述的金属电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
