[发明专利]半导体器件的金属电极及其制造方法、以及其应用

说明书

本发明公开一种半导体器件的金属电极及其制造方法、以及其应用，其中，所述制造方法包括以下步骤：形成锗金层；在所述锗金层上形成第一粘结金属层；在所述第一粘结金属层上形成金层；在所述金层上形成第二粘结金属层，即可完成半导体器件的金属电极的制备。本发明提供的半导体器件的金属电极的制造方法，制备得到了耐腐蚀且导电性能优异的金属电极，从而拓宽了最终制得的半导体器件的应用场景。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种半导体器件的金属电极及其制造方法、以及其应用。

背景技术

在半导体器件的制备工艺中，金属电极是连接内部器件和外部电路的重要组成部分，用于和封装端口进行金属互联形成导电通路。半导体工艺中最常用的金属电极材料是铝，铝作为金属电极材料，能与衬底形成良好的欧姆接触，且制造成本低，可与封装工艺兼容，但是铝不耐腐蚀，这会限制最终制得的半导体器件的应用场景。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种半导体器件的金属电极及其制造方法、以及其应用，旨在解决现有金属电极不耐腐蚀的问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种半导体器件的金属电极的制造方法，包括以下步骤：

形成锗金层；

在所述锗金层上形成第一粘结金属层；

在所述第一粘结金属层上形成金层；

在所述金层上形成第二粘结金属层，即可完成半导体器件的金属电极的制备。

可选地，采用蒸镀工艺形成所述锗金层；和/或，

采用蒸镀工艺形成所述第一粘结金属层；和/或，

采用蒸镀工艺形成所述金层；和/或，

采用蒸镀工艺形成所述第二粘结金属层。

可选地，所述在所述金层上形成第二粘结金属层，即可完成半导体器件的金属电极的制备的步骤，包括：

在所述金层上形成第二粘结金属层，得到复合层体；

将所述复合层体加热至150～500℃，然后冷却，即可完成半导体器件的金属电极的制备。

可选地，所述锗金层的厚度为60～80nm。

可选地，所述第一粘结金属层的厚度为10～20nm。

可选地，所述金层的厚度为70～90nm。

可选地，所述第二粘结金属层的厚度为0.005～0.01nm。

可选地，所述第一粘结金属层为镍层或钛层；和/或，

所述第二粘结金属层为镍层或钛层。

本发明还提出一种半导体器件的金属电极，所述金属电极为如上所述的半导体器件的金属电极的制造方法制得。

进一步地，本发明还提出一种半导体器件，所述半导体器件包括金属电极，所述金属电极为如上所述的金属电极。

本发明的技术方案中，依次形成了锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层，从而完成了半导体器件的金属电极的制备。其中，锗金层的粘附性好，能和外延片中的衬底形成良好的欧姆接触；第一粘结金属层作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而提高了制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本发明提供的制造方法制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了最终制得的半导体器件的应用场景。

附图说明