[发明专利]光刻机、显影装置及显影方法

说明书

本公开提供一种光刻机、显影装置及显影方法。该显影装置包括：旋转吸盘，用于支撑晶圆，所述晶圆的表面具有已曝光的光刻胶层；抬放单元，用于将晶圆装载至所述旋转吸盘，或者从所述旋转吸盘上卸载所述晶圆；显影单元，用于旋覆显影液至所述晶圆上以显影所述已曝光的光刻胶层；其中，所述抬放单元包括预设数量的支撑脚，所述支撑脚包括支撑杆和保护帽，所述支撑杆的至少一部分由静电阻断材料制成。本公开中更改了现有显影装置中支撑脚的材质，阻断了静电传输，带静电的晶圆和支撑脚接触时不会产生较高的电压，从而避免晶圆被高压点击造成的损伤，从而提高晶圆制造良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻机、显影装置及显影方法。

背景技术

半导体制造流程中，光刻(Photolithography)是为了在晶圆上绘制图案(Pattern)所进行的工艺。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

在显影工序中可以采用负显影(Negative Tone Develop，NTD)工艺，NTD工艺使用的显影液是有机溶剂，显影完成后的冲洗液也是有机液体。图1示出了一种现有的显影装置。如图1所示，该显影装置1包括用于装载及卸载晶圆2的3个支撑脚12(3Pin，SUS不锈钢材质)，以及旋转吸盘11(Spin chuck)。图2中(a)部分示出了利用图1显影装置1进行显影的过程，包括利用3Pin装载晶圆2至旋转吸盘，在旋转吸盘旋覆显影液显影，利用3Pin卸载晶圆2。如图3所示为将显影液喷覆在已曝光的光刻胶层21上时在晶圆2上产生了静电(Electro-Static Discharge，ESD)。在显影工序的下一个硬烘工序中，通过3Pin让晶圆2上升，这时需要晶圆与3Pin接触，接触后晶圆2上的静电通过3Pin快速放电，由于3Pin中每个Pin的直径在3mm以内，晶圆与3Pin接触的部分会通过高达50V的电压，使得晶圆上的接触部分的芯片被电击而产生不良。图2中(b)部分示出了晶圆与3Pin接触的部分释放静电的过程，图2中(c)部分示出了晶圆上由与3Pin接触的部分释放静电被电击而产生的不良区域。

发明内容

本公开的目的是提供一种显影装置及显影方法、一种光刻机。

本公开第一方面提供一种显影装置，包括：

旋转吸盘，用于支撑晶圆，所述晶圆的表面具有已曝光的光刻胶层；

抬放单元，用于将晶圆装载至所述旋转吸盘，或者从所述旋转吸盘上卸载所述晶圆；

显影单元，用于旋覆显影液至所述晶圆上以显影所述已曝光的光刻胶层；

其中，所述抬放单元包括预设数量的支撑脚，所述支撑脚包括支撑杆和保护帽，所述支撑杆的至少一部分由静电阻断材料制成。

本公开第二方面提供一种显影装置的显影方法，基于第一方面中所述的显影装置，包括：

利用抬放单元将晶圆装载至旋转吸盘，所述晶圆的表面具有已曝光的光刻胶层；

利用显影单元旋覆显影液至所述晶圆上以显影所述已曝光的光刻胶层。

本公开第三方面提供一种光刻机，包括曝光装置，以及上述第一方面中所述的显影装置。

本公开与现有技术相比的优点在于：

(1)本公开中更改了支撑脚的材质，阻断了静电传输，带静电的晶圆和支撑脚接触时不会产生较高的电压，从而避免晶圆被高压电击造成的损伤，从而提高晶圆制造良率。

(2)本公开中的显影装置适用于最大转速为4000rpm的负显影工艺中，可以避免在晶圆上产生的静电往支撑脚(直径3mm以内)某限定的地方离开而产生的问题。

附图说明