[发明专利]一种高硬度PVD膜层及其制备方法

说明书

本发明提出了一种高硬度PVD膜层及其制备方法，该方法采用真空镀膜方法沉积于基材上，具体包括：对基材进行清洗；依次在基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，其中，底层为碳化钨复合镀层、膜厚层为碳化钨复合镀层、过渡层为碳化钨复合镀层、颜色层为碳化钨复合镀层。本发明的高硬度PVD膜层经振动耐磨测试2H无露白，盐雾测试72H、人工汗测试96H、水煮百格测试通过。采用本发明所提供的方法制备的高硬度PVD膜层能够提高产品质量，提升使用寿命，扩展产品可使用条件。

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种高硬度PVD膜层及其制备方法。

背景技术

现如今的许多电子产品部件、工件外观装饰上都应用了镀膜的工艺以提升耐腐蚀性，进而延长其使用寿命。然而，现有的镀膜技术所制备形成的膜层硬度不足，在使用过程中容易发生开裂脱落的情况，或者是在与外界物体接触时易被刮花，使膜层从损伤处开始逐渐脱落。

发明内容

有鉴于此，为了克服上述现有技术的缺陷，本发明提出了一种产品质量良好、使用寿命长的高硬度PVD膜层。

具体地，所述高硬度PVD膜层采用真空镀膜方法沉积于基材上，所述高硬度PVD膜层的制备方法包括：

对所述基材进行清洗；

依次在所述基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，

其中，所述底层为碳化钨复合镀层、所述膜厚层为碳化钨复合镀层、所述过渡层为碳化钨复合镀层、所述颜色层为碳化钨复合镀层。

进一步，所述底层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-100A、偏压50-350V、时间60-1200秒、真空度1.0-1-5.0-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶。

所述底层的制备分为两步，其具体操作为：

首先，启动弧靶，调节电流50-100A、偏压150-350V、时间60秒-300秒、真空度1.0-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶；

然后，启动柱靶，调节电流10-30A偏压50-200V、时间600-1200秒、真空度3.0-1-5.0-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶。

所述膜厚层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间3600-14400秒、真空度3.0-1-5.0-1Pa、C2H2 10-150SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。

所述过渡层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间600-3600秒、真空度3.0-1-5.0-1Pa、C2H2 10-100SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。

所述颜色层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间7200-14400秒、真空度3.0-1-5.0-1Pa、C2H2 20-200SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。

所述“对所述基材进行清洗”包括：辉光清洗、离子源清洗、金属离子清洗。

采用上述高硬度PVD膜层制备方法镀覆的一种高硬度PVD膜层沉积于基材表面，所述PVD膜层由所述基材表面从下往上依次包括：

底层，所述底层为碳化钨复合镀层；

膜厚层，所述膜厚层为碳化钨复合镀层；

过渡层，所述过渡层为碳化钨复合镀层；

颜色层，所述颜色层为碳化钨复合镀层。