[发明专利]一种高硬度PVD膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种高硬度PVD膜层的制备方法，所述高硬度PVD膜层采用真空镀膜方法沉积于基材上，其特征在于，所述高硬度PVD膜层的制备方法包括：

对所述基材进行清洗；

依次在所述基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，

其中，所述底层为碳化钨复合镀层、所述膜厚层为碳化钨复合镀层、所述过渡层为碳化钨复合镀层、所述颜色层为碳化钨复合镀层。

2.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述底层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-100A、偏压50-350V、时间60-1200秒、真空度1.0^-1-5.0^-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶。

3.根据权利要求2所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述底层的制备分为两步，其具体操作为：

首先，启动弧靶，调节电流50-100A、偏压150-350V、时间60秒-300秒、真空度1.0^-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶；

然后，启动柱靶，调节电流10-30A偏压50-200V、时间600-1200秒、真空度3.0^-1-5.0^-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶。

4.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述膜厚层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间3600-14400秒、真空度3.0^-1-5.0^-1Pa、C₂H₂ 10-150SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。

5.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述过渡层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间600-3600秒、真空度3.0^-1-5.0^-1Pa、C₂H₂ 10-100SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。

6.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述颜色层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间7200-14400秒、真空度3.0^-1-5.0^-1Pa、C₂H₂ 20-200SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。

7.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述“对所述基材进行清洗”包括：辉光清洗、离子源清洗、金属离子清洗。

8.一种高硬度PVD膜层，根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，沉积于基材表面，其特征在于，所述PVD膜层由所述基材表面从下往上依次包括：

底层，所述底层为碳化钨复合镀层；

膜厚层，所述膜厚层为碳化钨复合镀层；

过渡层，所述过渡层为碳化钨复合镀层；

颜色层，所述颜色层为碳化钨复合镀层。

9.根据权利要求8所述的高硬度PVD膜层，其特征在于，所述底层的厚度为0.1-0.25μm，所述膜厚层的厚度为1.4-1.65μm，所述过渡层的厚度为0.1-0.25μm，所述颜色层的厚度为0.1-0.25μm。

10.根据权利要求8所述的高硬度PVD膜层，其特征在于，所述膜厚层与整体PVD膜层的厚度比为1：3。