[发明专利]半导体装置

说明书

在半导体装置中优选晶体管等开关元件的阈值电压的变动小。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面并设置有第一导电型的漂移区；沟槽部，其以从半导体基板的上表面到达漂移区的方式设置；以及台面部，其被夹在沟槽部之间，台面部具有：第二导电型的基区，其设置在漂移区与上表面之间；以及第一区域，其在台面部内的第一深度位置具有氢化学浓度的浓度峰。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

以往，已知通过注入氢并使其扩散到半导体基板的预定的深度，从而使在氢通过的区域中形成的晶格缺陷与氢结合而进行施主化，能够提高掺杂浓度的技术(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本再公布专利第2016-204227号

发明内容

技术问题

半导体装置中，优选晶体管等开关元件的阈值电压的变动小。

技术方案

为解决上述问题，在本发明的一个实施方式中提供一种具备半导体基板的半导体装置，上述半导体基板具有上表面和下表面，并设置有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备以从半导体基板的上表面到达漂移区的方式设置的沟槽部。半导体装置可以具备被夹在沟槽部之间的台面部。台面部可以具有设置在漂移区与上表面之间的第二导电型的基区。台面部可以具有在台面部内的第一深度位置具有氢化学浓度的浓度峰的第一区域。

第一深度位置可以是比基区的下端靠近上方的位置。台面部的宽度方向上的中心的第一深度位置处的氢化学浓度可以高于与沟槽部接触的区域的第一深度位置处的氢化学浓度。

半导体装置可以具有第二区域，上述第二区域设置在与设置有所述第一区域的所述台面部不同的台面部，且在第一深度位置处的氢化学浓度低于第一区域在所述第一深度位置处的氢化学浓度。

台面部可以具有配置在漂移区与半导体基板的上表面之间，且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的高浓度区域。第一深度位置可以配置在比高浓度区域的下端浅的位置。

基区在与沟槽部的侧壁接触的界面中比所述第一深度位置深的第二深度位置可以具有掺杂浓度的峰。

高浓度区域可以是与沟槽部接触地设置并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区。

高浓度区域可以是掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的接触区。

半导体装置可以具备配置在半导体基板的上表面的上方的发射电极。第一深度位置距半导体基板的与发射电极接触的上表面在深度方向上的距离可以为1μm以下。

半导体装置可以具备覆盖半导体基板的上表面的层间绝缘膜。层间绝缘膜可以具有露出半导体基板的上表面的接触孔。在俯视时，第一区域可以设置在与接触孔重叠的位置。

台面部可以具有第一导电型的发射区，上述发射区配置在漂移区与半导体基板的上表面之间，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度。半导体装置可以具备覆盖半导体基板的上表面的层间绝缘膜。层间绝缘膜可以具有使半导体基板的上表面露出的接触孔。在俯视时，第一区域可以设置在与接触孔重叠的位置。半导体装置在接触孔的下表面侧可以具备从上表面贯穿发射区而设置的沟槽接触部。第一区域可以设置在比沟槽接触部的底面深的位置。

基区在与沟槽部的侧壁接触的界面中比第一深度位置浅的第二深度位置可以具有掺杂浓度的峰。

沟槽接触部的底面可以配置在从上表面朝向下表面的深度方向上的第三深度位置。第二深度位置可以比第三深度位置浅。第三深度位置可以比第一深度位置浅。