[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面并设置有第一导电型的漂移区；

沟槽部，其以从所述半导体基板的所述上表面到达所述漂移区的方式设置；以及

台面部，其被夹在所述沟槽部之间，

所述台面部具有：

第二导电型的基区，其设置在所述漂移区与所述上表面之间；以及

第一区域，其在所述台面部内的第一深度位置具有氢化学浓度的浓度峰。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一深度位置是比所述基区的下端靠近上方的位置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部的宽度方向上的中心的所述第一深度位置处的氢化学浓度高于与所述沟槽部接触的区域的所述第一深度位置处的氢化学浓度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具有第二区域，所述第二区域设置在与设置有所述第一区域的所述台面部不同的台面部，且在所述第一深度位置处的氢化学浓度低于所述第一区域在所述第一深度位置处的氢化学浓度的第二区域。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部具有高浓度区域，所述高浓度区域配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述上表面之间，并且掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度，

所述第一深度位置配置在比所述高浓度区域的下端浅的位置。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述基区在与所述沟槽部的侧壁接触的界面中比所述第一深度位置深的第二深度位置具有掺杂浓度的峰。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区域是与所述沟槽部接触地设置并且掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的发射区。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区域是掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度的第二导电型的接触区。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备配置在所述半导体基板的所述上表面的上方的发射电极，

所述第一深度位置距所述半导体基板的与所述发射电极接触的所述上表面在深度方向上的距离为1μm以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备覆盖所述半导体基板的所述上表面的层间绝缘膜，

所述层间绝缘膜具有使所述半导体基板的所述上表面露出的接触孔，

在俯视时，所述第一区域设置在与所述接触孔重叠的位置。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部具有第一导电型的发射区，所述发射区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述上表面之间，并且掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度，

所述半导体装置还具备覆盖所述半导体基板的所述上表面的层间绝缘膜，

所述层间绝缘膜具有使所述半导体基板的所述上表面露出的接触孔，

在俯视时，所述第一区域设置在与所述接触孔重叠的位置，

所述半导体装置在所述接触孔的所述下表面侧具备从所述上表面贯穿所述发射区而设置的沟槽接触部，

所述第一区域设置在比所述沟槽接触部的底面深的位置。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述基区在与所述沟槽部的侧壁接触的界面中比所述第一深度位置浅的第二深度位置具有掺杂浓度的峰。