[发明专利]一种纳米晶带材热处理工艺

说明书

本发明公开了一种纳米晶带材热处理工艺，包括以下步骤，获得纳米晶带材，将纳米晶带材卷绕成环状，获得纳米晶磁芯；退火炉预热，同时抽真空并通入氮气；将纳米晶磁芯放入预热完成后的退火炉中；对纳米晶磁芯进行预结晶处理，提高退火炉内的温度并保温，同时循环通入氧气含量为ωsubgt;1/subgt;的氧气与惰性气体的混合气体；对纳米晶磁芯进行结晶处理，提高退火炉内的温度并保温，同时循环通入氧气含量为ωsubgt;2/subgt;的氧气与惰性气体的混合气体，其中ωsubgt;2/subgt;大于ωsubgt;1/subgt;；纳米晶磁芯随炉冷却至室温，取出纳米晶磁芯。提高了纳米晶带材的电阻率，以此降低纳米晶带材的高频损耗，使纳米晶带材在无线充电设备中的使用频率提高至500kHz‑1000kHz。

技术领域

本发明涉及无线充电技术领域，尤其涉及一种纳米晶带材热处理工艺。

背景技术

纳米晶带材是一种具有磁感应强度高、磁导率高等多种优异性能的金属软磁材料，并且可通过平面流铸造工艺一次成型，厚度可控、工艺流程短、耗能低，是应用于高频变压器、共模电感、高频电机等领域的理想材料。

随着无线充电技术的发展，为了保护电子产品内部其它电子元件不受无线充电过程中所产生的电磁场的干扰以及提升无线充电的能量转换效率，导磁屏蔽片成为无线充电模组中的必备组件，纳米晶带材因其高磁导率、高饱和磁感应强度以及较薄的厚度，是一种理想的导磁屏蔽材料。

当前无线充电的使用频率在100-200kHz，而无线充电技术正向300kHz-900kHz的高频发展。纳米晶带材的电阻率较低，其高频损耗性能不如铁氧体，但是纳米晶材料的磁感应强度为铁氧体的3-5倍，并且纳米晶带材制成的导磁屏蔽片的厚度是相同性能的铁氧体导磁屏蔽片厚度的1/2-1/3，因此如何降低纳米晶带材的高频损耗是制得磁感应强度高、厚度薄的导磁屏蔽片亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够降低纳米晶带材高频损耗的纳米晶带材热处理工艺。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种纳米晶带材热处理工艺，包括以下步骤，获得纳米晶带材，将所述纳米晶带材卷绕成环状，获得纳米晶磁芯；退火炉预热，同时抽真空并通入氮气；将所述纳米晶磁芯放入预热完成后的所述退火炉中；对所述纳米晶磁芯进行预结晶处理，提高所述退火炉内的温度并保温，同时循环通入氧气含量为ω₁的氧气与惰性气体的混合气体；对所述纳米晶磁芯进行结晶处理，提高所述退火炉内的温度并保温，同时循环通入氧气含量为ω₂的氧气与惰性气体的混合气体，其中ω₂大于ω₁；所述纳米晶磁芯随炉冷却至室温，取出所述纳米晶磁芯。

本发明的有益效果在于：本发明提供的纳米晶带材热处理工艺采用在纳米晶带材预结晶阶段和结晶阶段分别循环通入含有一定量氧气的混合气体，在预结晶阶段通入混合气体时氧气在高温下会渗入纳米晶的晶胚之间，由于氧原子的钉扎作用会抑制纳米晶晶粒的长大，同时在结晶阶段通入氧气含量更高的混合气体会在纳米晶晶粒之间形成一层氧化膜，进而提高纳米晶带材的电阻率，以此降低纳米晶带材的高频损耗，使纳米晶带材在无线充电设备中的使用频率提高至500kHz-1000kHz。

附图说明

图1为本发明实施例一的纳米晶带材热处理工艺的步骤图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。