[发明专利]一种纳米晶带材热处理工艺有效
申请号: | 202110055663.3 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112899695B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 姜桂君;王磊;张继林;董泽琳;周苗苗 | 申请(专利权)人: | 信维通信(江苏)有限公司 |
主分类号: | C23F17/00 | 分类号: | C23F17/00;C21D9/52;C21D1/26;C21D1/74;C23C8/10 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 王芳 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 晶带材 热处理 工艺 | ||
1.一种纳米晶带材热处理工艺,其特征在于:包括以下步骤,
获得纳米晶带材,将所述纳米晶带材卷绕成环状,获得纳米晶磁芯;
退火炉预热,将所述退火炉加热至150-250℃,同时抽真空并通入氮气;
将所述纳米晶磁芯放入预热完成后的所述退火炉中;
对所述纳米晶磁芯进行预结晶处理,提高所述退火炉内的温度并保温,以5-10℃/min的升温速率将所述退火炉内的温度由150-250℃升至390-450℃,并保温30-60min,同时循环通入氧气含量为ω1的氧气与惰性气体的混合气体;
以3-5℃/min的升温速率将所述退火炉内的温度由390-450℃升至470-510℃,并保温45-90min;
对所述纳米晶磁芯进行结晶处理,提高所述退火炉内的温度并保温,以3-5℃/min的升温速率将所述退火炉内的温度由470-510℃升至540-600℃,并保温120-240min,同时循环通入氧气含量为ω2的氧气与惰性气体的混合气体,其中ω2大于ω1;
所述纳米晶磁芯随炉冷却至室温,取出所述纳米晶磁芯。
2.根据权利要求1所述的纳米晶带材热处理工艺,其特征在于:所述纳米晶磁芯的表面张力为2-10N。
3.根据权利要求1所述的纳米晶带材热处理工艺,其特征在于:所述退火炉预热过程中通入的氮气的浓度为99.99%。
4.根据权利要求1所述的纳米晶带材热处理工艺,其特征在于:ω1的取值范围为10-20%。
5.根据权利要求1所述的纳米晶带材热处理工艺,其特征在于:ω2的取值范围为20-100%。
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