[发明专利]一种用于生产半导体材料箔的装置及方法

说明书

本发明涉及半导体材料箔生产相关技术领域，具体是一种用于生产半导体材料箔的装置及方法，所述用于生产半导体材料箔的装置包括底座及安装在所述底座上的加工台，所述底座上通过安装架固定有热熔罐，所述热熔罐与安装在其侧端的输送腔连通，所述输送腔上安装有出口朝向所述加工台的出料管，且所述出料管上设置有倾斜部，所述输送腔的内侧设置有输送组件；所述加工台上放置有基板带，所述基板带朝向所述加工台的一侧粘附有柔性磁铁，所述加工台的一端安装有驱动辊，所述驱动辊上安装有与所述柔性磁铁吸引的环形金属；所述加工台上与所述出料管出口相对的位置处设置有冷却流道，所述冷却流道与安装在底座侧端的循环组件连通。

技术领域

本发明涉及半导体材料箔生产相关技术领域，具体是一种用于生产半导体材料箔的装置及方法。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

铂的化学性质不活泼，在空气和潮湿环境中稳定，低于 450℃加热时，表面形成二氧化箔薄膜，高温下能与硫、磷、卤素发生反应。箔不溶于盐酸、硫酸、硝酸和碱溶液，但可溶于王水和熔融的碱。

用于生产结晶半导体箔的装置，该装置被设置用于从一定量的熔化的流体半导体中拉出半导体材料箔，现有技术的铸造设备的缺点是以这种方式制造的晶片常常显示出粗糙的上表面。该粗糙表面是由在结晶箔的顶部上拖出熔化的硅膜而引起的。在铸造加工期间，当基片带接触熔化的硅时，硅箔开始生长。在其穿过铸造框架的下面与熔化的硅相接触期间，硅晶片生长到其所需的厚度。在铸造框架的出口处，熔化的硅被铸造框架出口壁阻止。由于铸造框架出口壁可在垂直方向上移动以适应箔厚度的变化，因此一小量的熔化硅被从固体硅箔的顶部上的铸造框架中取出。离开铸造框架后，该液体在冷却期间以更不可控的方式结晶，造成粗糙的晶片表面。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于生产半导体材料箔的装置及方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种用于生产半导体材料箔的装置，所述用于生产半导体材料箔的装置包括底座及安装在所述底座上的加工台，所述底座上通过安装架固定有热熔罐，所述热熔罐与安装在其侧端的输送腔连通，所述输送腔上安装有出口朝向所述加工台的出料管，且所述出料管上设置有倾斜部，所述输送腔的内侧设置有输送组件，当输送组件运动时以将输送腔内的半导体原料进行挤压输送，以使出料管流出的半导体原料具有外部压力；

所述加工台上放置有基板带，所述基板带朝向所述加工台的一侧粘附有柔性磁铁，所述加工台的一端安装有驱动辊，所述驱动辊上安装有与所述柔性磁铁吸引的环形金属，当所述驱动辊转动时配合环形金属与柔性磁铁的作用驱动基板带水平移动，所述驱动辊的侧端还设置有与所述柔性磁铁连接的收卷辊，所述收卷辊的转轴通过第一传动带与安装在所述底座上的第二电机的输出轴转动连接，且通过第二传动带与所述驱动辊的转轴转动连接；

所述加工台上与所述出料管出口相对的位置处设置有冷却流道，所述冷却流道与安装在底座侧端的循环组件连通；所述基板带在移动过程中与出料管的端部抵接，半导体原料通过倾斜部流出，从而使得半导体材料箔形成厚度相同。

作为本发明进一步的方案：所述输送组件包括转动安装在所述输送腔内的输送轴及固定在所述输送轴上的螺旋叶片。

作为本发明再进一步的方案：所述热熔罐的内侧转动安装有搅拌轴，所述搅拌轴的一端贯穿所述热熔罐且通过锥齿轮组与输送轴的转轴转动连接，另一端与安装在所述热熔罐上的第一电机的输出轴固定连接；

位于所述热熔罐内的搅拌轴上固定有多组搅拌棒。

作为本发明再进一步的方案：所述热熔罐的外侧包裹有加热件。