[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 202110053618.4 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112885874B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 彭兆基;甘帅燕;张露 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
图案化层,设置在所述基板上,所述图案化层包括图案化结构;
平坦化层,设置在所述图案化层远离所述基板的一侧,所述平坦化层覆盖所述图案化层;
像素限定层,设置在所述平坦化层远离所述基板的一侧,所述像素限定层设置有多个凹槽,所述凹槽用于形成子像素;所述图案化结构在至少一个所述凹槽底部内的垂直投影面积占对应所述凹槽底部面积的比例大于或等于80%;
所述图案化结构包括走线,所述走线在所述凹槽底部内垂直投影的线宽大于所述走线在所述凹槽底部外的平坦化层上垂直投影的线宽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述图案化结构在每一所述凹槽底部内的垂直投影面积占对应所述凹槽底部面积的比例大于或等于80%。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述图案化层为金属层,所述金属层与所述平坦化层相邻设置,所述图案化结构设置于所述金属层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凹槽底部的边缘在所述走线上的垂直投影至少部分在所述走线的边缘内。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述走线包括外边缘,对应所述凹槽底部的所述走线的所述外边缘位于所述凹槽底部在所述走线上的垂直投影外,所述凹槽底部的边缘在所述走线上的垂直投影到所述外边缘的最小距离大于或等于1um。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述走线包括第一走线和第二走线;所述第一走线和所述第二走线的延伸方向相同。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,沿所述走线的线宽方向,所述第一走线在所述凹槽底部内的垂直投影和所述第二走线在所述凹槽底部内的垂直投影的最大间距小于或等于3um。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括阳极层;所述阳极层设置于所述平坦化层远离所述图案化层的一侧;所述阳极层在所述凹槽底部形成阳极。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的