[发明专利]一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺

说明书

本发明提出了一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，涉及显示屏领域。一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，包括如下步骤：在玻璃板上形成多晶硅有源层，在上述多晶硅有源层上覆盖栅极绝缘层，将上述栅极绝缘层通过F型离子掺杂形成F型阱，在上述F型阱中通过PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构，对上述PMOS器件漏轻掺杂结构进行掺氮处理，在上述栅极绝缘层上形成第一栅极和源漏极。本发明能够使环保屏更省电，并延长环保屏的使用寿命。

技术领域

本发明涉及环保屏领域，具体而言，涉及一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。

其中，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。

墨水屏，电子纸是一种绿色环保屏，其主要的优点就是省电，其双稳态的特性决定在数据刷新的情况下耗电，在稳定的状态下不耗电，对于绿色环保屏，耗电越小越好，现有点阵式电子纸使用的是TFT的基板驱动，如何设计在现有的基础上能够更省电，将会延长其设备的使用寿命。是现有技术设计的难点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其能够使环保屏更省电，并延长环保屏的使用寿命。

本发明的实施例是这样实现的：

本申请实施例提供一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，包括如下步骤：在玻璃板上形成多晶硅有源层，在上述多晶硅有源层上覆盖栅极绝缘层，将上述栅极绝缘层通过F型离子掺杂形成F型阱，在上述F型阱中通过PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构，对上述PMOS器件漏轻掺杂结构进行掺氮处理，在上述栅极绝缘层上形成第一栅极和源漏极。

通过多晶硅有源层覆盖栅极绝缘层，并通过F型离子掺杂形成F型阱，加快了离子界面的传输速率，从而提高了电子迁移率，进而使环保屏更省电；通过在F型阱中通过PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构，并对PMOS器件漏轻掺杂结构进行掺氮处理，提高了电压稳定性，进而保护了TFT基板，延长了显示屏的使用寿命。

在本发明的一些实施例中，在上述栅极绝缘层上沉积非晶硅(a-Si)薄膜，通过光刻除去上述非晶硅(a-Si)薄膜覆盖在上述源漏极的部分。

通过在栅极绝缘层上沉积非晶硅(a-Si)薄膜，将栅极绝缘层表面的F型离子隔离在栅极绝缘层的离子界面，防止离子扩散而降低离子传输速率，延长了TFT晶体管的使用寿命，并且使显示屏显示状态更稳定。

在本发明的一些实施例中，在上述非晶硅(a-Si)薄膜上粘贴有点阵式电子纸。