[发明专利]一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺在审
| 申请号： | 202110051146.9 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112885779A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴汝健;李建华 | 申请（专利权）人： | 广州易博士管理咨询有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 51308 | 代理人： | 赵晨宇 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南沙区丰泽东路106*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 绿色 环保 tft 制作 工艺 | ||
1.一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃板上形成多晶硅有源层，在所述多晶硅有源层上覆盖栅极绝缘层，将所述栅极绝缘层通过F型离子掺杂形成F型阱，在所述F型阱中通过PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构，对所述PMOS器件漏轻掺杂结构进行掺氮处理，在所述栅极绝缘层上形成第一栅极和源漏极。
2.如权利要求1所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅薄膜，通过光刻除去所述非晶硅薄膜覆盖在所述源漏极的部分。
3.如权利要求2所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，在所述非晶硅薄膜上粘贴有点阵式电子纸。
4.如权利要求3所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，在所述第一栅极注入碳离子层，通过所述碳离子层连接所述点阵式电子纸的输入。
5.如权利要求1所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，所述F型阱包含第一F型阱和第二F型阱。
6.如权利要求5所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，所述第一F型阱或所述第二F型阱包含F型掺杂离子阱，位于所述F型掺杂离子阱之间的第二栅极以及位于所述栅极绝缘层表面的介质层。
7.如权利要求6所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，所述第一F型阱或所述第二F型阱包含接触孔，所述接触孔位于所述介质层中且对应所述第F型掺杂离子阱设置。
8.如权利要求1所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，通过含氮的等离子体对所述PMOS器件漏轻掺杂结构进行掺氮处理。
9.如权利要求1所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，在形成所述源漏极之前，在所述栅极绝缘层上形成对应于所述多晶硅有源层的过孔，在形成源漏极之后，所述源漏极通过所述过孔与所述多晶硅有源层相接触。
10.如权利要求1所述的一种低功耗的绿色环保屏的TFT基板制作工艺，其特征在于，形成所述多晶硅有源层前，将退火的所述玻璃板湿法清洗后氮气吹干。
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