[发明专利]一种等离子体刻蚀机及其刻蚀方法

说明书

本发明公开了等离子体刻蚀机技术领域的一种等离子体刻蚀机及其刻蚀方法，包括机壳，所述机壳顶部固定连接有电离箱；本发明通过利用间断齿轮和T型齿板啮合使得其通过翻转轴带动晶圆架翻转180°，此时实现了对晶圆的换面操作，进而实现了对晶圆的双面刻蚀，且整个过程无需打开装置取出晶圆，避免了打开装置取出晶圆时，外部的细小杂物进入到设备内部对内部的真空环境产生影响的问题，过程操作简单快捷，且避免了人手工操作对已经刻蚀好的晶圆面造成损坏的问题，同时在电动推杆向上运动时，将自动解除对晶圆架进行限位，在电动推杆向下运动时，限位板将缓慢的对晶圆架进行限位。

技术领域

本发明涉及等离子体刻蚀机技术领域，具体为一种等离子体刻蚀机及其刻蚀方法。

背景技术

在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序，其中等离子体刻蚀是常用的刻蚀方式之一。通常刻蚀发生在真空反应腔室内，晶圆放置在真空反应腔室内的基座上，在基座顶部的电极中施加射频，并引入的反应气体，在真空反应腔室内形成等离子体对晶圆进行加工处理。

现有技术中公开的一种等离子体刻蚀机及其刻蚀方法发明案件中，发明专利申请号为201910800375.9的中国专利，所述等离子体处理系统包括反应腔室、位于反应腔室上的法拉第屏蔽装置和进气喷嘴；所述进气喷嘴穿过法拉第屏蔽装置向反应腔室通入工艺气体；所述进气喷嘴是导电材质，且进气喷嘴与法拉第屏蔽装置导电连接。

现有技术中在对晶圆进行刻蚀时，只能进行单面的刻蚀，当需要对晶圆进行双面的刻蚀时，需要人工将一面刻蚀好的晶圆取出，翻转到另一面后再放入刻蚀设备中，该过程操作复杂且容易出现破坏已经刻蚀好的晶圆面同时打开装置取出晶圆时，外部的细小杂物进入到设备内部对内部的真空环境产生影响。

基于此，本发明设计了一种等离子体刻蚀机及其刻蚀方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子体刻蚀机及其刻蚀方法，以解决上述背景技术中提出的现有技术中在对晶圆进行刻蚀时，只能进行单面的刻蚀，当需要对晶圆进行双面的刻蚀时，需要人工将一面刻蚀好的晶圆取出，翻转到另一面后再放入刻蚀设备中，该过程操作复杂且容易出现破坏已经刻蚀好的晶圆面同时打开装置取出晶圆时，外部的细小杂物进入到设备内部对内部的真空环境产生影响的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种等离子体刻蚀机，包括机壳，所述机壳顶部固定连接有电离箱，所述电离箱侧面固定连通有第一进气管，所述机壳顶部位于电离箱内部固定连通有第二进气管，所述机壳侧面铰接有进料门，所述机壳内壁固定连接有固定台，所述固定台顶部设置有晶圆架，所述晶圆架内壁固定连接有晶圆，所述机壳两侧内壁均连接有带动所述晶圆架翻转的翻转机构，所述固定台两侧均连接有对所述晶圆架限位的限位机构；