[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构的制造设备

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构的制造设备，半导体结构的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述基底；刻蚀所述基底后，采用等离子体灰化机对所述图形化的光刻胶层和刻蚀产生的残留物进行等离子体灰化处理；所述等离子体灰化处理的过程在无氧环境中进行。本发明实施例能够去除半导体结构上的残留物，且不产生新的残留物，进而能提高半导体结构的电性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构的制造设备。

背景技术

刻蚀是在半导体结构的制造方法中常用的工艺技术。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。光刻腐蚀是指先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式腐蚀所需除去的部分。

在刻蚀之后，通常使用干法工艺和湿法工艺的组合来去除光刻胶和氧化层等残留物。例如，首先使用氧等离子体灰化，然后在高温下使用有机溶剂进行湿化学清洁。然而在现有的去除工艺中，残留物不易得到彻底的去除，且还易产生新的残留物，从而影响半导体结构的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构的制造设备，以保证将残留物彻底去除，且不产生新的残留物，从而提高半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述基底；刻蚀所述基底后，采用等离子体灰化机对所述图形化的光刻胶层和刻蚀产生的残留物进行等离子体灰化处理；所述等离子体灰化处理的过程在无氧环境中进行。

另外，所述等离子体灰化机包括卡盘和至少三个支撑柱；所述卡盘用于提供热源；所述支撑柱位于所述卡盘上，所述支撑柱用于承载所述基底，并使所述基底与所述卡盘脱离。

另外，在进行所述等离子体灰化处理的过程中，通入反应气体，所述反应气体包括H₂N₂或NH₃。

另外，H₂N₂的流量为3000～10000sccm；NH₃的流量为1000～10000sccm。

另外，在进行所述等离子体灰化处理的过程中，所述反应气体还包括N₂。

另外，在进行所述等离子体灰化处理的过程中，腔室压力在50～2000mtorr范围内。

另外，在所述卡盘提供热源的过程中，所述基底的温度变化过程包括升温阶段和恒温阶段；在所述升温阶段，所述支撑柱在垂直于所述卡盘上表面的方向上的高度逐渐降低；在所述恒温阶段，所述支撑柱在垂直于所述卡盘上表面的方向上的高度保持不变；且所述支撑柱在所述升温阶段的高度大于在所述恒温阶段的高度。

另外，在所述升温阶段，所述基底的升温速率为5℃/秒-20℃/秒。

另外，所述支撑柱在垂直于所述卡盘上表面的方向上的高度为3mm～20mm。

另外，多个所述支撑柱到所述卡盘中心轴线的距离相等。

另外，所述支撑柱的材料包括陶瓷。

另外，在进行所述等离子体灰化处理后，通入SO₃气体对所述基底进行处理。

另外，所述基底包括第一金属层、第一介质层和第二介质层，所述第一金属层位于所述第一介质层内；所述第二介质层位于所述第一介质层上，并将所述第一金属层覆盖；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述基底，具体包括：以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二介质层，以露出所述第一金属层；在进行所述等离子体灰化处理后，还包括：在所述第一金属层上形成第二金属层。