[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构的制造设备

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述基底；

刻蚀所述基底后，采用等离子体灰化机对所述图形化的光刻胶层和刻蚀产生的残留物进行等离子体灰化处理；

所述等离子体灰化处理的过程在无氧环境中进行。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述等离子体灰化机包括卡盘和至少三个支撑柱；所述卡盘用于提供热源；所述支撑柱位于所述卡盘上，所述支撑柱用于承载所述基底，并使所述基底与所述卡盘脱离。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在进行所述等离子体灰化处理的过程中，通入反应气体，所述反应气体包括H₂N₂或NH₃。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，H₂N₂的流量为3000sccm～10000sccm；NH₃的流量为1000sccm～10000sccm。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述反应气体还包括N₂。

6.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在进行所述等离子体灰化处理的过程中，腔室温度在50°～250°范围内。

7.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在进行所述等离子体灰化处理的过程中，腔室压力在50mtorr～2000mtorr范围内。

8.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述卡盘提供热源的过程中，所述基底的温度变化过程包括升温阶段和恒温阶段；在所述升温阶段，所述支撑柱在垂直于所述卡盘上表面的方向上的高度逐渐降低；在所述恒温阶段，所述支撑柱在垂直于所述卡盘上表面的方向上的高度保持不变；且所述支撑柱在所述升温阶段的高度大于在所述恒温阶段的高度。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述升温阶段，所述基底的升温速率为5℃/秒-20℃/秒。

10.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述支撑柱在垂直于所述卡盘上表面的方向上的高度为3mm～20mm。

11.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，多个所述支撑柱到所述卡盘中心轴线的距离相等。

12.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述支撑柱的材料包括陶瓷。

13.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在进行所述等离子体灰化处理后，通入SO₃气体对所述基底进行处理。

14.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述基底包括第一金属层、第一介质层和第二介质层，所述第一金属层位于所述第一介质层内；所述第二介质层位于所述第一介质层上，并将所述第一金属层覆盖；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述基底，具体包括：以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二介质层，以露出所述第一金属层；在进行所述等离子体灰化处理后，还包括：在所述第一金属层上形成第二金属层。

15.一种半导体结构的制造设备，适于对半导体结构上的残留物进行等离子体灰化处理，所述半导体结构包括基底，其特征在于，包括：卡盘和至少三个支撑柱；所述卡盘用于提供热源；所述支撑柱位于所述卡盘上，所述支撑柱用于承载所述基底，并使所述基底与所述卡盘脱离。