[发明专利]IL-18基因融合H2Kk基因在制备增强细胞免疫的细胞中的应用、细胞及制备方法有效
申请号: | 202110040024.X | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN112852870B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 焦顺昌;张嵘;张艳玲;袁翰 | 申请(专利权)人: | 北京鼎成肽源生物技术有限公司;焦顺昌 |
主分类号: | C12N15/85 | 分类号: | C12N15/85;C12N5/10;C12N15/62;A61K39/00;A61P37/04 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 吕纪涛 |
地址: | 102200 北京市昌平区双*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | il 18 基因 融合 h2kk 制备 增强 细胞 免疫 中的 应用 方法 | ||
1.一种K562细胞的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将跨膜表达RBD基因插入到质粒中,得到PB-S-RBD-NGFR质粒;
所述跨膜表达RBD基因的核苷酸序列如SEQ ID No.2所示;
2)将IL-18基因融合H2Kk基因克隆到步骤1)得到的PB-S-RBD-NGFR质粒中,得到含融合基因质粒;
3)将所述步骤2)得到的含融合基因质粒电转化到K562细胞中,得到增强细胞免疫的
K562细胞。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)质粒包括PB-713质粒。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述跨膜表达RBD基因通过Bsu36I和BmgBI双酶切插入到质粒中。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤3)电转化的条件包括:电压560mV,电击时间30ms。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤3)含融合基因质粒的质量与K562细胞的数量比为7μg:1×107个。
6.一种增强细胞免疫的K562细胞,其特征在于,采用权利要求1~5任一项所述制备方法制备得到。
7.根据权利要求6所述的增强细胞免疫的K562细胞,其特征在于,所述IL-18基因融合H2Kk基因后的核苷酸序列如SEQ ID No .1所示。
8.权利要求6或7所述的增强细胞免疫的K562细胞在制备增强细胞免疫的疫苗中的应用。
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