[发明专利]太阳能电池边缘绕镀的去除方法以及太阳能电池的制作方法

说明书

一种太阳能电池边缘绕镀的去除方法以及太阳能电池的制作方法,属于太阳能电池技术领域。太阳能电池边缘绕镀的去除方法包括：在制绒后的N型硅片正面形成硼掺杂层和硼硅玻璃层；在N型硅片背面依次形成隧穿氧化层和掺磷非晶硅层或者在N型硅片背面形成磷掺杂层，在这过程中掺磷非晶硅层或者磷掺杂层绕镀至N型硅片侧边和硼硅玻璃层表面边缘形成边缘绕镀层；采用等离子气体刻蚀的方法将边缘绕镀层刻蚀去除。其能够有效地去除边缘绕镀，且不容易破坏PN结。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池边缘绕镀的去除方法以及太阳能电池的制作方法。

背景技术

太阳能电池产业化工序较多，Topcon电池要在N型N型硅片背面制作掺磷非晶硅层，PERT电池要在N型硅片背面制作含磷扩散层，在制作含磷的掺磷非晶硅层和磷扩散层时，正面PN结表面和侧面边缘会不可避免地产生绕镀的问题，磷绕镀至正面PN结表面会与正面的硼元素接触，造成漏电，因而需要将绕镀去除。

现有技术中，一般采用化学溶剂将绕镀去除，例如，有些采用碱和添加剂的混合溶液去除绕镀，有些采用混合酸溶液来去除绕镀，但是在太阳能电池制作工艺中正面PN结表面形成的绕镀一般面积较小，采用化学溶剂去除正面PN结表面绕镀时，化学溶剂有一定的流动性，很容易对PN结形成一定的破坏而造成较大程度的漏电。

发明内容

本申请提供了一种太阳能电池边缘绕镀的去除方法以及太阳能电池的制作方法，其能够有效地去除边缘绕镀，且不容易破坏PN结。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池边缘绕镀的去除方法，包括：

在制绒后的N型硅片正面形成硼掺杂层和硼硅玻璃层；

在N型硅片背面依次形成隧穿氧化层和掺磷非晶硅层或者在N型硅片背面形成磷掺杂层，在这过程中掺磷非晶硅层或者磷掺杂层绕镀至N型硅片侧边和硼硅玻璃层表面边缘形成边缘绕镀层；

采用等离子气体刻蚀的方法将边缘绕镀层刻蚀去除。

第二方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制作方法，包括第一方面实施例的太阳能电池边缘绕镀的去除方法。

本申请实施例的太阳能电池边缘绕镀的去除方法以及太阳能电池的制作方法的有益效果包括：

在N型硅片背面形成掺磷非晶硅层时，在这过程中，掺磷非晶硅会不可避免地绕镀至N型硅片侧边和硼硅玻璃层表面边缘形成边缘绕镀层；在N型硅片背面形成磷掺杂层时，磷掺杂层也会不可避免地绕镀至N型硅片侧边和硼硅玻璃层表面边缘形成边缘绕镀层，通过等离子气体刻蚀的方法去除边缘绕镀层，去除更加精准，不容易破坏PN结。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请具体实施方式的太阳能电池边缘绕镀的去除方法中制绒后的N型硅片的结构示意图；

图2为本申请具体实施方式的太阳能电池边缘绕镀的去除方法中经步骤S1处理后的结构示意图；

图3为本申请具体实施方式的太阳能电池边缘绕镀的去除方法中经步骤S2处理后的一种结构示意图；

图4为本申请具体实施方式的太阳能电池边缘绕镀的去除方法中经步骤S2处理后的另一结构示意图；

图5为本申请具体实施方式的太阳能电池边缘绕镀的去除方法中经步骤S3处理后的一种结构示意图；