[发明专利]太阳能电池边缘绕镀的去除方法以及太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，包括：

在制绒后的N型硅片正面形成硼掺杂层和硼硅玻璃层；

在所述N型硅片背面依次形成隧穿氧化层和掺磷非晶硅层或者在所述N型硅片背面形成磷掺杂层，在这过程中所述掺磷非晶硅层或者所述磷掺杂层绕镀至所述N型硅片侧边和所述硼硅玻璃层表面边缘形成边缘绕镀层；

采用等离子气体刻蚀的方法将所述边缘绕镀层刻蚀去除。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，所述等离子气体刻蚀所才采用的等离子体气体包括含氟气体和氯气中的至少一种；可选地，所述含氟气体和所述氯气的流量为400-600sccm。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，所述含氟气体包括CF₄、C₂F₆、C₃F₈、C₄F₁₀、NF₃和SF₆中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，所述含氟气体为CF₄。

5.根据权利要求2-4任一项所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，所述等离子体气体还包括O₂；可选地，所述O₂的流量为40-100sccm。

6.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，所述等离子气体刻蚀过程的辉光放电功率为700-2000w，反射功率小于200w，辉光放电时间为700-1800s，所述等离子气体刻蚀过程的所述等离子气体的压力为20-50Pa。

7.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，在进行所述等离子气体刻蚀的过程中将形成有所述边缘绕镀层的N型硅片进行转动使得所述等离子气体喷出至所述边缘绕镀层，其中，转速为10rmp。

8.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，在所述N型硅片背面依次形成所述隧穿氧化层和所述掺磷非晶硅层后，先将所述掺磷非晶硅层和所述边缘绕镀层中的磷进行高温激活，并使得非晶硅晶化成多晶硅，在这过程中所述隧穿氧化层表面形成多晶硅层，然后再采用所述等离子气体刻蚀的方法将所述边缘绕镀层刻蚀去除。

9.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法，其特征在于，在所述N型硅片背面形成所述掺磷非晶硅层的方法包括：等离子体增强化学气相沉积法，其中，沉积温度为300～600℃，压力为100～300Pa，功率为3000～8000w，频率为20～60KHZ，时间为600～2400s。

10.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的太阳能电池边缘绕镀的去除方法。