[发明专利]像素结构有效
申请号: | 202110032613.3 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN112731717B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 曹福君;王奕筑;赖呈暐;李思翰;甄力民;郑伟成 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
一种像素结构包括像素电极以及配向电极。像素电极的轮廓由第一长边、第一短边、第二长边与第二短边围绕而成,且像素电极具有第一开口与第二开口。第一长边与第二长边相对。第一短边与第二短边相对。第一开口实质上沿着第一长边延伸,而第二开口由第一开口朝第二长边延伸,且第一开口的宽度小于第二开口的宽度。配向电极与像素电极实体上分离,且包括邻近第二长边的第一延伸部以及位于第一延伸部两端的两辅助部。两辅助部由第一延伸部朝第一长边延伸并分别沿着第一短边与第二短边延伸。
技术领域
本发明是有关于一种电子装置的构件,且特别是有关于一种像素结构。
背景技术
随着显示技术不断的推陈出新,显示装置中的像素结构也持续在改良。以目前被广泛应用的液晶显示装置而言,像素结构如何达到高穿透率一直都是业界关注的议题。举例而言,液晶显示装置中的像素结构可利用多种的配向技术来控制液晶材料的排列与倾斜方向。但,为了实现广视角的显示效果,需在不同区域定义出不同的配向方向,而不同配向区域之间的交界都是无法正常显示的牺牲区,使得像素结构的穿透率因此而受限。
发明内容
本发明提供一种像素结构,可具有高穿透率,而提升显示效果。
本发明的像素结构包括像素电极以及配向电极。像素电极的轮廓由第一长边、第一短边、第二长边与第二短边围绕而成,且像素电极具有第一开口与第二开口。第一长边与第二长边相对。第一短边与第二短边相对。第一开口实质上沿着第一长边延伸,而第二开口由第一开口朝第二长边延伸,且第一开口的宽度小于第二开口的宽度。配向电极与像素电极实体上分离,且包括邻近第二长边的第一延伸部以及位于第一延伸部两端的两辅助部。两辅助部由第一延伸部朝第一长边延伸并分别沿着第一短边与第二短边延伸。
基于上述,本发明实施例的像素结构使像素电极的开口搭配配向电极的图案,使得像素结构应在定义液晶配向的过程中可将液晶倾倒的节点控制于像素电极周边。如此一来,像素电极整体面积大致都可以提供显示作用而达到较高的显示穿透率,而提升显示效果。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施例的像素结构的上视示意图。
图2示出了像素电极140与配向电极150的示意图。
图3为采用图1的像素结构对液晶层进行配向程序时的液晶效果的模拟图。
图4为本发明另一实施例的像素结构的上视示意图。
图5为像素结构200中像素电极与配向电极的示意图。
图6为本发明又一实施例的像素结构的上视示意图。
图7为像素结构300中像素电极与配向电极的示意图。
图8为采用图6的像素结构对液晶层进行配向程序时的液晶效果的模拟图。
图9为本发明再一实施例的像素结构的上视示意图。
图10为像素结构400中像素电极与配向电极的示意图。
图11为本发明又一实施例的像素结构的上视示意图。
图12为像素结构500中像素电极540与配向电极550的示意图。
其中,附图标记:
10、20、30、40、50:基板
100、200、300、400、500:像素结构
110、210、310、410、510:扫描线
120、120’、220、220’、320、320’、420、520:数据线
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