[发明专利]像素结构有效
申请号: | 202110032613.3 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN112731717B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 曹福君;王奕筑;赖呈暐;李思翰;甄力民;郑伟成 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
像素电极,所述像素电极的轮廓由第一长边、第一短边、第二长边与第二短边围绕而成,且所述像素电极具有第一开口与第二开口,其中所述第一长边与所述第二长边相对,所述第一短边与所述第二短边相对,所述第一开口实质上沿着所述第一长边延伸,而所述第二开口由所述第一开口朝所述第二长边延伸,且所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度;以及
配向电极,与所述像素电极实体上分离,且包括邻近所述第二长边的第一延伸部以及位于所述第一延伸部两端的两辅助部,且所述两辅助部由所述第一延伸部朝所述第一长边延伸并分别沿着所述第一短边与所述第二短边延伸;
其中,所述配向电极更包括邻近所述第一长边的第二延伸部,所述第一延伸部与所述第二长边相隔第一间隔距离,所述第二延伸部与所述第一长边相隔第二间隔距离,且所述第一间隔距离小于所述第二间隔距离。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述配向电极与所述像素电极不重叠。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述两辅助部各自的末端与所述第二延伸部间隔开。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一延伸部与所述像素电极的间隔距离等于所述两辅助部各自与所述像素电极的间隔距离。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一开口与所述第二开口连接成T型。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一开口的宽度小于所述第一开口至所述第一长边的间隔距离。
7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述两辅助部各自的宽度由所述第一延伸部向外逐渐缩小。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一延伸部具有位于内部的延伸部开口,所述延伸部开口的宽度越往中间越宽,且所述第二开口的延伸线横越所述延伸部开口的较宽处。
9.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一长边与所述第二长边之间的距离沿所述第一长边的延伸方向呈现先增加再减少的变化趋势。
10.如权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述第一延伸部的宽度沿着所述第二长边而呈现先减少再增加的变化趋势,且所述第二开口的延伸线横越所述第一延伸部的较窄处。
11.如权利要求10所述的像素结构,其特征在于,所述第一延伸部的邻近所述第二长边的内侧边与所述第二长边皆为折曲线状。
12.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二开口将所述像素电极均分。
13.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一延伸部在厚度方向上至少部分重叠所述像素电极。
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