[发明专利]一种金属有机化学气相沉淀设备有效
| 申请号: | 202110025494.9 | 申请日: | 2021-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN112853310B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
| 发明(设计)人: | 袁文;阳曦;郑忻宇;马佳俊 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学;绵阳市食品药品检验所 |
| 主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 郑州豫原知识产权代理事务所(普通合伙) 41176 | 代理人: | 吴林 |
| 地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属 有机化学 沉淀 设备 | ||
本发明公开了一种金属有机化学气相沉淀设备,包括反应壳,所述反应壳采用封闭的壳体,所述反应壳的底端外侧固定连接有多个支撑脚,所述反应壳的顶端固定且连通有气管,所述反应壳的内壁上固定连接有支撑杆,且支撑杆水平设置,所述支撑杆远离反应壳的一端固定连接有用于气相沉淀的反应托盘,所述反应托盘采用中空的矩形结构,所述反应托盘的顶端开设有开口。本发明通过设置升降机构,驱动第二减速电机,第二减速电机带动输出端的蜗杆转动,蜗杆进而带动与之啮合的蜗轮转动,蜗轮带动螺母转动,螺母带动螺杆上下运动,螺杆为升降机构的输出端,螺杆带动其底端的连接架和固定板上下运动,从而便于毛刷的清洁与刮刀的刮除。
技术领域
本发明涉及气相沉淀设备技术领域,尤其涉及一种金属有机化学气相沉淀设备。
背景技术
金属有机化合物化学气相沉淀是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。金属有机化合物化学气相沉淀是一个将特定的原材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区,在此生长区,原材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。一般MOCVD设备包括加热系统、冷却系统、气体运输系统、尾气处理系统以及控制系统。
采用藕合喷淋头的MOCVD系统的上盖采用小孔输运气态原材料到反应室中进行反应,由于喷淋头的孔径非常小,且距离反应室内反应平台的距离非常近,气态原材料物质难免会发生大量预反应,这个反应物会迅速覆盖在喷淋头的小孔表面,尽管每生长一炉,都有人工刷洗清洁喷淋头表面,但孔隙内仍会残留部分物质,使用时间一长,小孔孔径还是会越来越小,这就会导致工艺参数漂移很多,无法稳定金属有机化合物化学气相沉淀的工业生产。目前的设备没有专门针对喷淋头孔径被堵的程度的方法和设备,无法实时监控小孔被堵对工艺带来的影响。
现有技术中,例如专利号CN205241787U,公开的一种金属有机化学气相沉淀设备,包括反应箱及喷淋头,反应箱上端设置有喷淋头;反应箱内设置有反应腔,反应腔底端设置有反应平台,反应平台上端设置有反光层;喷淋头包括上盖及孔板,孔板上均布有多个向反应腔内输送气态原材料的小孔,上盖顶部设置有多个与小孔对应的窗口,上盖上设置有多个激光发生与接收装置,激光发生与接收装置上设置有蜂鸣器,蜂鸣器与激光发生与接收装置电连接;反应箱底部设置有电机,电机上端与转轴连接,转轴上端设置有单臂旋转杆,单臂旋转杆上端设置有毛刷。本新型结构设计合理,能实时检测喷淋头中小孔的通堵状况,及时快捷方便地清理喷淋头,节省人力成本,提高工作效率。
上述方案虽然可以对喷淋管和喷头进行清洁,但是其采用毛刷转动清洁的方式只能在堵塞时进行清洁,无法解决没有完全堵塞但是重量堵塞导致喷头喷量小的问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述的问题,而提出的一种金属有机化学气相沉淀设备。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种金属有机化学气相沉淀设备,包括反应壳,所述反应壳采用封闭的壳体,所述反应壳的底端外侧固定连接有多个支撑脚,所述反应壳的顶端固定且连通有气管,所述反应壳的内壁上固定连接有支撑杆,且支撑杆水平设置,所述支撑杆远离反应壳的一端固定连接有用于气相沉淀的反应托盘,所述反应托盘采用中空的矩形结构,所述反应托盘的顶端开设有开口,所述反应托盘远离支撑杆的一端开设有开口,所述反应壳的顶端外侧固定连接有第一减速电机,所述第一减速电机具备一个输出轴,所述反应壳的顶端竖直转动连接有管体,所述管体的顶端延伸至反应壳的外侧并通过锥齿轮组与第一减速电机的输出轴连接,所述管体的底端固定且连通有喷淋管,所述喷淋管的底端设置有多个喷头。
可选地,所述反应壳的顶端外侧设置有升降机构,所述升降机构具备一个输出端,所述升降机构的输出端延伸至反应壳内并通过锁紧机构连接有连接架,所述连接架的上表面胶合有毛刷。
可选地,所述升降机构的输出端延伸至反应壳内还固定连接有固定板,所述固定板上固定连接有水平设置的气缸,所述气缸具备一个输出杆,所述气缸的输出杆固定连接有刮刀,所述刮刀竖直设置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





