[发明专利]电压生成器电路、存储器设备及操作其的方法在审
申请号: | 202110022232.7 | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN113140239A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 郑尚勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C8/14;G11C7/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 生成器 电路 存储器 设备 操作 方法 | ||
提供了电压生成器电路、存储器设备及操作其的方法。在该存储器设备中,电压生成器电路在存储器设备处于活动模式时生成第一内部电源电压,在存储器设备处于待机模式时生成第二内部电源电压,并且将第一内部电源电压或第二内部电源电压提供给内部电源电压线以用作存储器设备的内部电源电压。当存储器设备处于待机模式时,电压生成器电路通过使用高于外部电源电压的第一电压来阻止第一内部电源电压的生成。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年1月20日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0007386号韩国专利申请的权益,其公开内容通过引用整体结合于此。
技术领域
本发明构思涉及一种半导体存储器设备,并且更具体地,涉及一种用于生成内部电源电压的电压生成器电路及其操作方法,该内部电源电压用于感测存储器单元的数据。
背景技术
半导体存储器设备(例如,动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory,DRAM))正被开发为具有高集成度和大容量。DRAM包括由单元晶体管和单元电容器构成的存储器单元,并且通过存储在单元电容器中的电荷来操作以写入和读取数据。存储器单元可以被连接到位线和互补位线。在DRAM中,当执行读取操作或刷新操作时,感测放大器感测并放大位线和互补位线之间的电压差。因为感测放大器一次感测许多位线的电压,所以感测放大器在感测操作期间使用内部电源电压而不是从外部施加的外部电源电压来提供恒定的电流。为了持续地控制感测放大器的感测操作,期望一种用于稳定地生成内部电源电压的电压生成器电路。
发明内容
本发明构思旨在提供一种用于生成内部电源电压的电压生成器电路、该电压生成器电路的操作方法以及包括该电压生成器电路的存储器设备。
根据本发明构思的一方面,用于根据命令执行操作模式的存储器设备包括:包括多个存储器块的存储器单元阵列,所述多个存储器块中的每一个包括连接到以行和列排列的字线和位线的多个存储器单元,存储器单元阵列被配置为通过使用内部电源电压线上的内部电源电压来对所述多个存储器单元执行写入操作或读取操作;和电压生成器电路,被配置为当存储器设备处于活动模式时,从外部电源电压生成第一内部电源电压,当存储器设备处于待机模式时,从外部电源电压生成第二内部电源电压,以及将第一内部电源电压或第二内部电源电压提供给内部电源电压线。当存储器设备处于待机模式时,电压生成器电路通过使用高于外部电源电压的第一电压来阻止第一内部电源电压的生成。
根据本发明构思的另一方面,被配置为生成内部电源电压的存储器设备的操作方法包括,当存储器设备处于活动模式时,从外部电源电压生成第一内部电源电压和第二内部电源电压;当存储器设备处于待机模式和活动模式时,从外部电源电压生成第二内部电源电压,并且通过使用高于外部电源电压的第一电压来阻止第一内部电源电压的生成。
根据本发明构思的另一方面,用于生成存储器设备的内部电源电压的电压生成器电路包括:第一内部电压生成器电路,该第一内部电压生成器电路被配置为响应于在存储器设备的活动模式下激活的第一控制信号,将第一内部电源电压与参考电压进行比较,以及生成等于参考电压的第一内部电源电压;第二内部电压生成器电路,该第二内部电压生成器电路被配置为在存储器设备的活动模式和待机模式下,将第二内部电源电压与参考电压进行比较,以及生成等于参考电压的第二内部电源电压;和开关电路,该开关电路被配置为响应于在存储器设备的待机模式下激活的第二控制信号,向内部电源电压线提供第一内部电源电压或第二内部电源电压作为内部电源电压。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本发明构思的实施例,其中:
图1是示出包括根据本发明构思的示例实施例的存储器设备的系统的图;
图2是示出根据本发明构思的示例实施例的图1的存储器设备的配置的框图;
图3是示出根据本发明构思的示例实施例的电压生成器电路的配置的图;
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