[发明专利]电压生成器电路、存储器设备及操作其的方法

权利要求书

1.一种用于根据命令执行操作模式的存储器设备，所述存储器设备包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器块，所述存储器块中的每一个包括连接到以行和列排列的字线和位线的多个存储器单元，所述存储器单元阵列被配置为通过使用在内部电源电压线上提供的内部电源电压对所述多个存储器单元执行写入操作或读取操作；和

电压生成器电路，被配置为：

当所述存储器设备处于活动模式时，从外部电源电压生成第一内部电源电压，

当所述存储器设备处于待机模式时，从所述外部电源电压生成第二内部电源电压，以及

向所述内部电源电压线提供所述第一内部电源电压或所述第二内部电源电压，

其中，当所述存储器设备处于所述待机模式时，所述电压生成器电路通过使用高于所述外部电源电压的第一电压来阻止所述第一内部电源电压的生成。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述电压生成器电路包括：

第一内部电压生成器电路，被配置为响应于在所述活动模式下激活的第一控制信号，将所述第一内部电源电压与参考电压进行比较，并且生成等于所述参考电压的所述第一内部电源电压；

第二内部电压生成器电路，被配置为在所述活动模式和所述待机模式下，将所述第二内部电源电压与所述参考电压进行比较，并且生成等于所述参考电压的所述第二内部电源电压；和

开关电路，被配置为在所述待机模式下响应于第二控制信号，向所述内部电源电压线提供所述第二内部电源电压。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述第一内部电压生成器电路包括：

反相器，被配置为接收所述第一控制信号；

N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，包括接收所述反相器的输出信号的栅极和连接到接地电压的源极；

比较器，被配置为：

由所述外部电源电压和所述接地电压驱动，

将所述第一内部电源电压与所述参考电压进行比较，以及

当所述比较器通过所述NMOS晶体管电连接到所述接地电压时，输出作为第一驱动控制信号的输出；和

多个P型金属氧化物半导体PMOS晶体管，所述多个PMOS晶体管并联连接在外部电源电压线和第一内部电源电压线之间，

其中，所述第一驱动控制信号被提供给所述多个PMOS晶体管的栅极。

4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述第一内部电压生成器电路包括：

反相器，被配置为接收所述第一控制信号；

第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，包括接收所述反相器的输出信号的栅极和连接到接地电压的源极；

比较器，被配置为：

由所述外部电源电压和所述接地电压驱动，以及

当所述比较器通过所述第一NMOS晶体管电连接到所述接地电压时，将所述第一内部电源电压与所述参考电压进行比较；

电平移位器，被配置为接收所述第一控制信号并输出具有与所述第一控制信号相同的逻辑电平的输出信号和具有与所述第一控制信号的逻辑电平相反的逻辑电平的反相输出信号，其中所述输出信号和所述反相输出信号的逻辑高电平等于或高于所述第一电压；

传输门，被配置为响应于所述电平移位器的所述输出信号和所述反相输出信号，输出所述比较器的输出信号作为所述第一驱动控制信号；

第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管串联连接在高电压线和第一驱动控制信号线之间；和

多个第二PMOS晶体管，所述多个第二PMOS晶体管并联连接在外部电源电压线和第一内部电源电压线之间，其中所述第一驱动控制信号被提供给所述多个第二PMOS晶体管的栅极，

其中，从所述电平移位器输出的所述反相输出信号连接到所述第一PMOS晶体管的栅极，并且

其中，所述第二NMOS晶体管包括其中栅极和源极彼此连接的二极管型晶体管。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，所述传输门的晶体管、所述第一PMOS晶体管、和所述第二NMOS晶体管中的每一个包括高电压晶体管，所述高电压晶体管中栅极氧化膜比所述第一NMOS晶体管的栅极氧化膜厚。