[发明专利]包含组合存储器的半导体组合件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

裸片堆叠，其包含彼此上下竖直堆叠的一组裸片，所述一组裸片包含：

至少一个易失性存储器裸片，其配置成在电力可用时存储易失性数据，

至少一个非易失性NV存储器裸片，其配置成在电力不可用时保持NV数据；以及

直接附接到所述裸片堆叠上的控制器装置，所述控制器装置配置成提供到所述裸片堆叠的接口并控制所述裸片堆叠的操作。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：

所述至少一个易失性存储器裸片包含电耦合到所述控制器装置的硅穿通孔TSV；且

所述至少一个NV存储器裸片附接到所述易失性存储器裸片上和上方，所述至少一个NV存储器裸片电耦合到所述TSV。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中：

所述控制器装置包括控制器裸片；且

所述至少一个易失性存储器裸片直接附接到所述控制器裸片上和上方。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述TSV包括至少所述控制器裸片和所述至少一个NV裸片之间的直接裸片间连接。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中：

所述裸片堆叠和所述控制器裸片的中心部分对齐，所述中心部分与竖直线一致；且

所述控制器裸片沿着横向方向突出超过所述裸片堆叠的周边边缘。

6.根据权利要求3所述的半导体封装，其中：

所述裸片堆叠在其周边边缘和相对边缘之间具有共同长度；

所述控制器裸片在其周边边缘和相对边缘之间具有所述共同长度；且

所述裸片堆叠和所述控制器裸片的周边边缘对齐，所述周边边缘与竖直平面一致。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：

所述至少一个易失性存储器裸片和所述至少一个NV存储器裸片各自在周边边缘和相对边缘之间具有共同长度；且

所述至少一个易失性存储器裸片和所述至少一个NV存储器裸片的周边边缘对齐，所述周边边缘与竖直平面一致。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述控制器装置配置成传递一开始存储在所述至少一个易失性存储器裸片或所述至少一个NV存储器裸片中的任一者中的数据，并且将所述数据存储在所述至少一个易失性存储器裸片或所述至少一个NV存储器裸片中的另一者中。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个易失性存储器裸片包括包含两个或更多个动态随机存取存储器DRAM裸片的高带宽存储器HBM装置。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个NV存储器裸片包括至少一个NAND存储器裸片。

11.一种半导体封装，其包括：

封装衬底；

附接到所述封装衬底的逻辑装置；以及

附接到所述封装衬底上的竖直堆叠式组合VC存储器装置，其中所述VC存储器装置是包含以下的裸片堆叠：

至少一个动态随机存取存储器DRAM裸片，

至少一个非易失性NV存储器裸片，和

电耦合到所述封装衬底、所述至少一个DRAM裸片和所述至少一个NV存储器裸片的控制器裸片，所述控制器裸片配置成提供所述裸片堆叠的外部接口并控制所述裸片堆叠的操作，

其中所述裸片堆叠包含彼此附接且彼此上下竖直堆叠的所述至少一个DRAM裸片、所述至少一个NV存储器裸片和所述控制器裸片。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中：

所述至少一个DRAM裸片包括包含附接到所述控制器裸片上和上方的多个DRAM裸片的高带宽存储器HBM装置；且

所述至少一个NV存储器裸片包含附接到所述HBM装置上和上方的至少一个NAND存储器裸片。