[发明专利]光掩模

说明书

本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。

技术领域

本发明涉及一种在光刻工序中所使用的光掩模。

背景技术

在用于制造平板显示器等电子设备的光刻工序中使用光掩模。一直以来，用于将孔图案转印至光致抗蚀剂的光掩模使用的是具备遮光部和透过部、并且与孔图案对应的部位成为透过部的二元掩模。

近年来，例如，为了能够形成2[μm]以下的微细的孔图案，提出了相移掩模作为用于孔的图案化的光掩模。已知相移掩模与以往的二元掩模相比不仅具有分辨率的提高效果，而且还具有焦深(DOF)的改善效果。(例如参照专利文献1的第4段落)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-163335号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在使用相移掩模而将微细的孔图案转印至光致抗蚀剂的情况下，虽然可得到焦深的提高效果，但是需要高曝光量(Dose)。因此，具有曝光时间增大、曝光装置的节拍时间增大的问题。

因此，以往的光掩模不能充分满足用于制造电子设备的光刻工序中对实际使用条件的更严格的要求。

另外，由于要求比LSI等半导体装置制造工序中要求的DOF高一个数量级的DOF，因此通过半导体装置制造用的微细化技术(半导体工艺技术)也不能满足这样严格的要求。

鉴于上述课题，本发明的目的在于提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。

用于解决课题的手段

本发明涉及的光掩模，其特征在于，具备透过部、第1相移部和第2相移部，

所述第1相移部及第2相移部包围所述透过部，

所述第2相移部介于所述第1相移部与所述透过部之间，

所述第2相移部及所述第1相移部将曝光光的相位反转，

所述第2相移部的透射率比所述第1相移部的透射率低。

另外，本发明涉及的光掩模，其特征在于，所述第1相移部的透射率为8～15％，所述第2相移部的透射率为3～7％。

另外，本发明涉及的光掩模，其特征在于，所述第1相移部及所述第2相移部的相移量为160[°]以上且210[°]以下的范围。

通过设为这样的构成，从而可以提供能够改善光刻工序中的DOF及所需曝光量的光掩模。

另外，本发明涉及的光掩模，其特征在于，所述第1相移部的相移量为160[°]以上且190[°]以下的范围，所述第2相移部的相移量为180[°]以上且210[°]以下的范围。

通过设为这样的构成，从而容易调整第1相移部及第2相移部的相移量。

另外，本发明涉及的光掩模，其特征在于，所述第2相移部是构成所述第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠。

通过设为这样的构成，从而容易制造光掩模。

发明效果

根据本发明，可以提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。

附图说明

图1(a)是实施方式1的光掩模的俯视图，图1(b)、图1(c)是用于说明其光刻特性(DOF及所需曝光量)的改善效果的图表。

图2(a)、图2(b)是表示实施方式1的光掩模的主要工序的剖视图，图2(c)是其俯视图。