[发明专利]光掩模在审
| 申请号： | 202110016918.5 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113156758A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 田中千惠;山田步实;齐藤隆史 | 申请（专利权）人： | 株式会社SK电子 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光掩模 | ||
【权利要求书】：
1.一种光掩模，其特征在于，具备透过部、第1相移部和第2相移部，
所述第1相移部及所述第2相移部包围所述透过部，
所述第2相移部介于所述第1相移部与所述透过部之间，
所述第2相移部及所述第1相移部将曝光光的相位反转，
所述第2相移部的透射率比所述第1相移部的透射率低。
2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述第1相移部的透射率为8～15％，所述第2相移部的透射率为3～7％。
3.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，所述第1相移部及所述第2相移部的相移量为160[°]以上且210[°]以下的范围。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模，其特征在于，所述第1相移部的相移量为160[°]以上且190[°]以下的范围，
所述第2相移部的相移量为180[°]以上且210[°]以下的范围。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光掩模，其特征在于，所述第2相移部是构成所述第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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