[发明专利]晶圆对中装置在审
| 申请号: | 202110012806.2 | 申请日: | 2021-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN112635380A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 边晓东;马雪婷;刘豫东;刘建民;王洪建 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李翠 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种晶圆对中装置,其特征在于,所述晶圆对中装置包括:
沿着预定方向间隔布置的第一对中调整构件和第二对中调整构件;
调整部,分别形成于所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件;
所述第一对中调整构件所包括的所述调整部和所述第二对中调整构件所包括的所述调整部分别对应,以形成调整组;
n个所述调整组分别对应待定位的n个规格晶圆,其中,n大于或者等于2,且n为整数。
2.根据权利要求1所述的晶圆对中装置,其特征在于,所述调整部形成为阶梯形状。
3.根据权利要求2所述的晶圆对中装置,其特征在于,定义第一个所述调整组包括分别形成于所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件的两个第一调整部,所述第一调整部包括:
第一定位表面,用于对所述晶圆施加力的作用以对所述晶圆定位;
第一分界表面,所述第一定位表面的下端截止于所述第一分界表面。
4.根据权利要求3所述的晶圆对中装置,其特征在于,定义第m个所述调整组包括分别形成于所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件的两个第m调整部,所述第m调整部包括:
第m定位表面,用于对所述晶圆施加力的作用以对所述晶圆定位,并且上端截止于第m-1分界表面;
第m分界表面,所述第m定位表面的下端截止于所述第m分界表面;
其中,m大于1,且m小于或者等于n,m为整数。
5.根据权利要求4所述的晶圆对中装置,其特征在于,
所述第一定位表面和所述第m定位表面分别形成为和与所述第一定位表面和所述第m定位表面分别对应的所述晶圆相适配的弧面。
6.根据权利要求4所述的晶圆对中装置,其特征在于,
所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件形成所述调整部的一侧均被定义为工作侧;
所述第一定位表面和所述第m定位表面中的至少一者的在水平方向上的两端分别截止于与所述工作侧在水平方向上相邻的两个侧部;
与所述至少一者对应的分界表面的在水平方向上的两端分别截止于与所述工作侧在水平方向上相邻的两个侧部。
7.根据权利要求1所述的晶圆对中装置,其特征在于,所述晶圆对中装置还包括第一驱动机构,所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件设置于所述第一驱动机构,并被驱动以同步地彼此靠近或者远离。
8.根据权利要求7所述的晶圆对中装置,其特征在于,所述晶圆对中装置还包括:
沿着所述预定方向间隔布置的第一对中限位构件和第二对中限位构件,分别用于对所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件限位,并设置为具有对应于n个规格所述晶圆的n个彼此间距离。
9.根据权利要求7所述的晶圆对中装置,其特征在于,所述晶圆对中装置还包括:
第二驱动机构,用于输出升降运动;
安装构件,第一端与所述第二驱动机构连接,第二端能够延伸至所述第一对中调整构件和所述第二对中调整构件之间;
吸附构件,设置于所述安装构件的第二端,并用于承载所述晶圆。
10.根据权利要求9所述的晶圆对中装置,其特征在于,所述晶圆对中装置还包括基台,所述第一驱动机构和所述第二驱动机构均以可拆卸的方式设置于所述基台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





