[发明专利]具有电容器连接的重布的集成存储器及形成集成存储器的方法

说明书

本申请案涉及具有电容器连接的重布的集成存储器及形成集成存储器的方法。一些实施例包含集成组合件。所述集成组合件包含各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域的有源区域。所述电容器接触区域经布置成一图案使得六个邻近电容器接触区域形成基本上矩形配置。导电重布材料与所述电容器接触区域耦合且从所述电容器接触区域向上且横向向外延伸。所述导电重布材料的上表面经布置成一图案使得所述上表面的七个邻近者形成基本上六边形密堆积配置的单元。电容器与所述导电重布材料的所述上表面耦合。

技术领域

集成组合件。集成存储器(例如DRAM)。具有电容器连接的重布的集成存储器。形成集成存储器的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统，且在计算机系统中用于存储数据。实例存储器是DRAM(动态随机存取存储器)。DRAM单元可各自包括与电容器组合的晶体管。DRAM单元可经布置成阵列；其中字线沿着阵列的行延伸，且数字线沿着阵列的列延伸。字线可与存储器单元的晶体管耦合。每一存储器单元可通过字线中的一者与数字线中的一者的组合唯一地寻址。

高填密电容器随着集成度增加变得越来越重要。期望开发实现DRAM阵列的电容器的高填密的架构及开发用于制造此类架构的方法。

发明内容

一些实施例包含一种集成组合件。所述集成组合件包含各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域的有源区域。所述电容器接触区域经布置成一图案使得六个邻近电容器接触区域形成基本上矩形配置。导电重布材料与所述电容器接触区域耦合且从所述电容器接触区域向上且横向向外延伸。所述导电重布材料的上表面经布置成一图案使得所述上表面的七个邻近者形成基本上六边形密堆积配置的单元。电容器与所述导电重布材料的所述上表面耦合。

一些实施例包含一种集成组合件，其包括各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域的半导体材料支柱的集成组合件。所述电容器接触区域经布置成一阵列，其中所述阵列具有交替的第一行及第二行。所述导电重布材料与所述电容器接触区域耦合。所述导电重布材料沿着所述第一行具有第一配置，其中所述第一配置基本上沿着所述第一行在第一方向上从所述第一行的所述电容器接触区域横向向外延伸。所述导电重布材料沿着所述第二行具有第二配置，其中所述第二配置基本上沿着所述第二行在第一方向上从所述第二行的所述电容器接触区域横向向外延伸。所述第二方向与所述第一方向基本上相反。所述导电重布材料具有上表面。电容器与所述导电重布材料的所述上表面耦合。

一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。形成具有半导体材料支柱的构造，所述导体材料支柱各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域。所述电容器接触区域经布置成一阵列，其中所述阵列具有交替的第一行及第二行。所述数字线接触区域沿着沿所述第一行的第一横截面与所述电容器接触区域间隔，且沿着沿所述第二行的第二横截面与所述电容器接触区域间隔。数字线沿着所述第一横截面及所述第二横截面直接在所述数字线接触区域之上。导电插塞沿着所述第一横截面及所述第二横截面直接在所述电容器接触区域之上。绝缘块在所述导电插塞及所述数字线之上。图案化掩模形成于所述绝缘块之上。图案化掩模具有沿着第一横截面从中延伸穿过的第一开口，且具有沿着第二横截面从中延伸穿过的第二开口。所述第一开口及所述第二开口经对准使得所述第一开口及所述第二开口中的每一者部分与导电插塞中的一者部分重叠且与邻近所述导电插塞中的所述一者的所述数字线中的一者部分重叠。用第一蚀刻使所述第一开口及所述第二开口向下延伸到所述导电插塞中。用第二蚀刻使所述第一开口及所述第二开口侧向延伸到所述导电插塞。所述第一开口及所述第二开口在所述第二蚀刻之后分别具有第一形状及第二形状。所述第二形状是所述第一形状的基本上镜像。在所述第一开口及所述第二开口的所述第一形状及所述第二形状内形成导电重布材料。形成与所述导电重布材料耦合的电容器。

附图说明

图1是实例存储器阵列的区域的图解俯视图。

图2是相对于图1的存储器阵列修改的实例存储器阵列的图解俯视图。

图3是图2的改性存储器阵列的另一图解俯视图。