[发明专利]具有电容器连接的重布的集成存储器及形成集成存储器的方法在审
申请号: | 202110011273.6 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN113451311A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 杨广军 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电容器 连接 集成 存储器 形成 方法 | ||
1.一种集成组合件,其包括:
有源区域,其各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域,所述电容器接触区域经布置成一图案使得六个邻近电容器接触区域形成基本上矩形配置;
导电重布材料,其与所述电容器接触区域耦合且从所述电容器接触区域向上且横向向外延伸;所述导电重布材料的上表面经布置成一图案使得所述上表面的七个邻近者形成基本上六边形密堆积配置的单元;及
电容器,其与所述导电重布材料的所述上表面耦合。
2.根据权利要求1所述的集成组合件,其中:
所述电容器接触区域经布置成一阵列;
所述阵列具有交替的第一行及第二行;
所述导电重布材料沿着所述第一行具有第一配置,其中所述第一配置基本上沿着所述第一行在第一方向上从所述第一行的所述电容器接触区域横向向外延伸;且
所述导电重布材料沿着所述第二行具有第二配置,其中所述第二配置基本上沿着所述第二行在第二方向上从所述第二行的所述电容器接触区域横向向外延伸;所述第二方向与所述第一方向基本上相反。
3.根据权利要求1所述的集成组合件,其中:
所述有源区域是半导体材料支柱;
所述支柱中的每一者具有在其中延伸的两个沟槽,其中所述两个沟槽是第一沟槽及第二沟槽;
所述支柱中的每一者具有所述电容器接触区域的两者及所述数字线接触区域的一者,其中所述两个电容器接触区域是第一电容器接触区域及第二电容器接触区域;
第一字线在所述第一沟槽内且门控地将所述第一电容器接触区域耦合到所述数字线接触区域;且
第二字线在所述第二沟槽内且门控地将所述第二电容器接触区域耦合到所述数字线接触区域。
4.根据权利要求1所述的集成组合件,其中:
所述数字线接触区域经布置成一阵列;
数字线是沿着所述阵列的列且在所述数字线接触区域之上;且
所述导电重布材料在所述数字线上方且与所述数字线部分横向重叠。
5.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述导电重布材料包括金属。
6.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述导电重布材料包括钴、钨及钛中的一或多者。
7.根据权利要求1所述的集成组合件,其中所述导电重布材料包括金属硅化物之上的金属。
8.根据权利要求7所述的集成组合件,其中所述金属基本上由钨及钛中的一者或两者组成;且其中所述金属硅化物包括一或多个硅化钴、硅化钨及硅化钛。
9.根据权利要求8所述的集成组合件,其中所述导电重布材料进一步包括横向沿着所述金属的金属氮化物。
10.根据权利要求9所述的集成组合件,其中所述金属氮化物包括氮化钛及氮化钨中的一者或两者。
11.一种集成组合件,其包括:
半导体材料支柱,其各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域;所述电容器接触区域经布置成一阵列,其中所述阵列具有交替的第一行及第二行;
导电重布材料,其与所述电容器接触区域耦合;所述导电重布材料沿着所述第一行具有第一配置,其中所述第一配置基本上沿着所述第一行在第一方向上从所述第一行的所述电容器接触区域横向向外延伸;所述导电重布材料沿着所述第二行具有第二配置,其中所述第二配置基本上沿着所述第二行在第二方向上从所述第二行的所述电容器接触区域横向向外延伸;所述第二方向与所述第一方向基本上相反;所述导电重布材料具有上表面;及
电容器,其与所述导电重布材料的所述上表面耦合。
12.根据权利要求11所述的集成组合件,其中:
数字线沿着所述阵列的列且在所述数字线接触区域之上;且
所述导电重布材料在所述数字线上方且与所述数字线部分横向重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的