[发明专利]驱动电路板的制作方法在审
申请号: | 202110005492.3 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN112838051A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路板 制作方法 | ||
1.一种驱动电路板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括至少一薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管层上形成第一金属层以及第一无机层;
去除至少部分位于所述第一金属层远离所述衬底一侧的所述第一无机层,以形成第一端子。
2.根据权利要求1所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,在所述薄膜晶体管层上形成第一金属层以及第一无机层的步骤包括:
在所述薄膜晶体管层上形成一第一金属材料层;
在所述第一金属材料层上形成一第一无机材料层;
所述第一金属材料层以及所述第一无机材料层经第一图案化处理形成所述第一金属层以及所述第一无机层。
3.根据权利要求2所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,所述第一金属材料层以及所述第一无机材料层经第一图案化处理形成所述第一金属层以及所述第一无机层的步骤包括:
在所述第一无机材料层上形成一第一光阻材料层;
利用一第一掩膜版对所述第一光阻材料层曝光;
所述第一光阻材料层经显影后形成第一光阻区以及第一无光阻区;
利用第一蚀刻工艺去除所述第一无光阻区对应的所述第一金属材料层以及所述第一无机材料层,以形成所述第一金属层以及所述第一无机层;
去除所述第一光阻材料层。
4.根据权利要求1所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,在所述薄膜晶体管层上形成第一金属层以及第一无机层的步骤包括:
在所述薄膜晶体管层上形成一第一金属材料层;
所述第一金属材料层经第二图案化处理形成所述第一金属层;
在所述第一金属层上形成第一无机材料层;
所述第一无机材料层经第三图案化处理形成所述第一无机层。
5.根据权利要求2或4所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,去除至少部分位于所述第一金属层远离所述衬底一侧的所述第一无机层,以形成第一端子的步骤包括:
在所述第一无机层上形成一第四光阻材料层;
利用一第四掩膜版对所述第四光阻材料层曝光;
所述第四光阻材料层经显影后形成第四光阻区以及第四无光阻区,其中,所述第一无机层位于所述第四无光阻区内;
利用第四蚀刻工艺去除所述第一无机层,以使所述第一金属层形成所述第一端子。
6.根据权利要求2或4所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,去除至少部分位于所述第一金属层远离所述衬底一侧的所述第一无机层,以形成第一端子的步骤包括:
在所述第一无机层上形成一第五光阻材料层;
利用一第五掩膜版对所述第五光阻材料层曝光;
所述第五光阻材料层经显影后形成第五光阻区以及第五无光阻区;
利用第五蚀刻工艺去除所述第五无光阻区内的第一无机层,以使所述第一保护层以及所述第一金属层形成所述第一端子;
至少去除位于所述第一金属层远离所述衬底一侧的所述第一保护层对应的所述第五光阻材料层;
其中,所述第一保护层包括至少一位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧的第一开口。
7.根据权利要求6所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,所述第一保护层位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧;或者,
所述第一保护层位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧、所述第一金属层靠近所述薄膜晶体管的一侧、以及所述第一金属层远离所述薄膜晶体管的一侧。
8.根据权利要求1所述的驱动电路板的制作方法,其特征在于,在衬底上形成薄膜晶体管层之后、在所述薄膜晶体管层上形成第一金属层以及第一无机层之前,或者,在所述薄膜晶体管层上形成第一金属层以及第一无机层之后,所述驱动电路板的制作方法还包括:在所述薄膜晶体管层上形成遮光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造