[发明专利]一种TO封装结构

说明书

本发明公开了一种TO封装结构，结构包括：TO底座、TO地电极、信号接线柱、信号接线柱载体和金丝引线，其中：所述TO底座上设置所述TO地电极和所述信号接线柱；所述信号接线柱载体设置于所述信号接线柱表面上且信号接线柱载体通过所述金丝引线与TO地电极相连；所述结构被封装于封闭腔体中。通过金丝引线将TO地电极与信号接线柱上的信号接线柱载体直接连接，避免通过TO底座，减少了信号线到地的距离，整个TO封装结构的参考地电极统一，由于信号接线柱载体有容性特征，信号接线柱载体可以与信号接线柱的电感相作用，降低了信号接线柱与TO底座之间的阻抗，实现更好的阻抗匹配，降低信号反射，实现了更高频率的信号传输。

技术领域

本发明属于光电通信技术领域，更具体地，涉及一种TO封装结构。

背景技术

目前应用较广的TO封装方案技术比较成熟，普遍采用的封装结构如图1所示，由TO底座10、TO地电极20、信号接线柱30、金丝引线50、发射组件和接收组件构成，由于TO底座10与信号接线柱30间距较大，且信号接线柱30为感性元件，信号接线柱30与TO底座10之间阻抗较高，超过了25Ω的设计阻抗，使得信号在传输过程中反射损耗很大。这种封装结构通过对TO底座上激光器芯片载体的陶瓷电路板上电路进行匹配设计，优化阻抗匹配，降低了封装寄生参数，但是在高速信号传输的TO封装设计中，理想设计是单端阻抗值为25Ω，差分阻抗值为50Ω，而实际生产工艺和原材料参数都会受到材料均匀性差异的限制；在加工或装配时造成的精度误差；元件之间连接点的阻抗以及焊料不完全一致的熔融状态，因此阻抗值与理想设计值有一定差距。

为了提高封装性能，有一种思路是采取加宽激光器芯片载体的方案来解决，尽可能的让激光器芯片载体上的信号输出焊盘与TO底座上的信号接线柱相近，以缩短金丝引线的长度，减少阻抗性能。但是由于激光器芯片载体受到TO底座面积以及激光器芯片的限制，而且工艺难度较大，无法形成量产。

随着通信频率要求不断提高，对TO封装结构的高频传输性能提出了进一步的要求，但是电极结构设计继续优化和金丝引线增加提升性能有限，因此提出了新的封装方案。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种TO封装结构，其目的在于降低信号接线柱与底座之间的阻抗，缩小实际阻抗值与理想设计值差距，由此解决依据现有的封装平台就可以提升TO封装高频性能的技术问题。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种TO封装结构，所述结构包括：TO底座10、TO地电极20、信号接线柱30、信号接线柱载体40和金丝引线50，其中：

所述TO底座10上设置所述TO地电极20和所述信号接线柱30；

所述信号接线柱载体40设置于所述信号接线柱30表面上且信号接线柱载体40通过所述金丝引线50与TO地电极20相连；

所述结构被封装于封闭腔体中。

作为对上述方案进一步的完善和补充，本发明还包括以下附加技术特征。

优选地，所述信号接线柱载体40通过导电胶粘贴于信号接线柱30表面上，粘贴后，所述信号接线柱载体40的水平高度小于所述TO地电极20水平高度预设值。

优选地，所述信号接线柱载体40表面的金丝键合区域镀有金层。

优选地，所述信号接线柱载体40采用氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷制作。

优选地，所述信号接线柱载体40为柱体，具体为方形柱体、圆柱体、扇形柱体或三角柱体中的一种。

优选地，所述TO底座10上通过导电胶粘贴所述TO地电极20和所述信号接线柱30。

优选地，所述信号接线柱30分为第一信号接线柱31和第二信号接线柱32，所述信号接线柱载体40也分为第一信号接线柱载体41和第二信号接线柱载体42，其中：