[发明专利]热载流子效应退化性能的评估方法

说明书

本发明实施例提供一种热载流子效应退化性能的评估方法，包括：提供字线和字线驱动器；对所述字线执行电性测试；对电性测试合格的样品执行特性测试，获得第一性能参数；向所述字线驱动器的输入端输入交流信号，以通过所述字线驱动器控制所述字线反复开关；对所述字线执行所述电性测试；对电性测试合格的样品执行所述特性测试，获得第二性能参数，并根据所述第一性能参数和所述第二性能参数评估所述字线驱动器的热载流子效应退化性能。本发明实施例有利于准确获取字线驱动器的热载流子效应退化性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种热载流子效应退化性能的评估方法。

背景技术

随着电子设备的普及应用，人们对电子设备的性能也提出了更高的要求，例如，电子设备中半导体器件性能的稳定性。为保证半导体器件能够长期可靠的工作，通常在出厂前对半导体器件对产品性能进行可靠性测试，以保证半导体器件在预设时间内的性能变化处于预设阈值内。热载流子注入(HCI，HotCarrier Injection)效应是影响半导体器件性能的重要因素，直接会引起半导体器件的性能退化，半导体器件的热载流子测试是依据联合电子设备工程委员会(JEDEC，Joint Electron Device Engineering Council)的标准执行，通过向半导体器件输入电压信号测量该器件的电学性能，计算器件的电学性能退化量。

现有技术中，通过施加恒定的过压信号，获取半导体器件的性能参数退化量，从而根据性能参数退化量和过压时间来确定半导体器件在过压条件下的寿命，进而通过数学线性模型将过压条件下的寿命推算到正常工作条件下的寿命。但是现有技术中热载流子的测试是在直流信号下进行的，而实际半导体器件是在交流电压信号下工作的，因此基于直流信号与交流信号的等效转换计算半导体器件寿命的结果并不准确，同时无法体现出半导体器件的实际性能参数对性能的影响。目前，缺少一种准确地针对半导体器件热载流子效应退化性能的测试方法。

发明内容

本发明实施例提供一种热载流子效应退化性能的评估方法，有利于准确获取字线驱动器的热载流子效应退化性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种热载流子效应退化性能的评估方法，包括：提供字线和字线驱动器；对所述字线执行电性测试；对电性测试合格的样品执行特性测试，获得第一性能参数；向所述字线驱动器的输入端输入交流信号，以通过所述字线驱动器控制所述字线反复开关；对所述字线执行所述电性测试；对电性测试合格的样品执行所述特性测试，获得第二性能参数，并根据所述第一性能参数和所述第二性能参数评估所述字线驱动器的热载流子效应退化性能。

另外，所述字线的性能参数包括内存时序中的寻址延迟时间和预充电时间；所述第一性能参数包括第一寻址延迟时间和第一预充电时间，所述第二性能参数包括第二寻址延迟时间和第二预充电时间。

另外，所述交流信号的输入时长大于200h。

另外，所述寻址延迟时间和所述预充电时间按照JEDEC的标准执行。

另外，所述字线和所述字线驱动器位于阵列区。

另外，所述字线包括位于同一物理存储体内不同位置的多条字线。

另外，所述字线位于物理存储体的边缘。

另外，在同一物理存储体内的字线的排列方向上，所述字线包括第二根字线和/或倒数第二根字线。

另外，向所述字线驱动器的输入端输入交流信号，以通过所述字线驱动器控制所述字线反复开关的步骤，包括：每次测试通过所述字线驱动器控制一条字线反复开关，不同次测试控制不同条字线反复开关。

另外，所述字线驱动器为用于进行实际读写操作的功能电路。