[发明专利]热载流子效应退化性能的评估方法

权利要求书

1.一种热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，包括：

提供字线和字线驱动器；

对所述字线执行电性测试；

对电性测试合格的样品执行特性测试，获得第一性能参数；

向所述字线驱动器的输入端输入交流信号，以通过所述字线驱动器控制所述字线反复开关；

对所述字线执行所述电性测试；

对电性测试合格的样品执行所述特性测试，获得第二性能参数，并根据所述第一性能参数和所述第二性能参数评估所述字线驱动器的热载流子效应退化性能。

2.根据权利要求1所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线的性能参数包括内存时序中的寻址延迟时间和预充电时间；所述第一性能参数包括第一寻址延迟时间和第一预充电时间，所述第二性能参数包括第二寻址延迟时间和第二预充电时间。

3.根据权利要求2所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述交流信号的输入时长大于200h。

4.根据权利要求2所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述寻址延迟时间和所述预充电时间按照JEDEC的标准执行。

5.根据权利要求1所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线和所述字线驱动器位于阵列区。

6.根据权利要求1或5所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线包括位于同一物理存储体内不同位置的多条字线。

7.根据权利要求1或5所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线位于物理存储体的边缘。

8.根据权利要求7所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，在同一物理存储体内的字线的排列方向上，所述字线包括第二根字线和/或倒数第二根字线。

9.根据权利要求7所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，向所述字线驱动器的输入端输入交流信号，以通过所述字线驱动器控制所述字线反复开关的步骤，包括：每次测试通过所述字线驱动器控制一条字线反复开关，不同次测试控制不同条字线反复开关。

10.根据权利要求1所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线驱动器为用于进行实际读写操作的功能电路。

11.根据权利要求1或10所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线驱动器包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极连接，以作为所述字线驱动器的输入端；所述PMOS管的漏极和所述NMOS管的漏极连接，以作为所述字线驱动器的输出端，所述字线驱动器的输出端与所述字线连接；所述PMOS管的源极与工作电源连接，所述NMOS管的源极接地。

12.根据权利要求11所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，通过所述字线驱动器控制所述字线反复开关的步骤，包括：在前一时刻，控制所述PMOS管导通和所述NMOS管关断，以使所述字线打开；在后一时刻，控制所述PMOS管关断和所述NMOS管导通，以使所述字线关断。

13.根据权利要求12所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述字线的性能参数包括寻址延迟时间和预充电时间；获取所述性能参数的具体步骤包括：控制所述PMOS管导通和所述NMOS管关断，以获取所述寻址延迟时间；控制所述PMOS管关断和所述NMOS管导通，以获取所述预充电时间。

14.根据权利要求13所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述PMOS管的热载流子效应退化性能通过第一寻址延迟时间和第二寻址延迟时间评估；所述NMOS管的热载流子效应退化性能通过第一预充电时间和第二预充电时间评估。

15.根据权利要求1所述的热载流子效应退化性能的评估方法，其特征在于，所述交流信号的电压大于所述字线驱动器的工作信号的电压，且在低于室温的测试环境下向所述字线驱动器的输入端输入交流信号。