[发明专利]光敏晶体管、彩膜基板及其制作方法在审
申请号: | 202110003419.2 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112864172A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 莫超德 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 晶体管 彩膜基板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种光敏晶体管、彩膜基板及其制作方法。光敏晶体管包括透光基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层;所述栅极层设于所述透光基板上,具有透光区;所述栅极绝缘层设于所述透光基板上且完全覆盖所述栅极层;所述有源层设于所述栅极绝缘层上,具有沟道区;所述沟道区与所述透光区对应设置;所述源漏极层设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的沟道区两端分别电连接。本发明使得位于栅极层下方一侧的光线传输至有源层,从而提升光敏晶体管作为光敏传感器时的灵敏性,实现了光敏晶体管能够设置在彩膜基板上接收来自彩膜基板背面的光线实现光敏传感器的功能的特殊效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种光敏晶体管、彩膜基板及其制作方法。
背景技术
利用非晶硅或铟锡氧化物(a-Si/IZO)等半导体材料的光敏特性,将光敏传感器集成在显示面板上,来实现色温自动调节、图片复印、远程光感互动、光学指纹识别等先进显示应用已成为提高显示产品附加价值,增加产品差异性的普遍做法。
在技术的实际应用中,光敏传感器接收到的光子能量因传播过程中的散射,反射而损失严重,导致无法实验远距离光互动的需求,或导致低感度状况下无法使用。因此提升光敏传感器灵敏性成为技术改进的关键。
如图1所示,为现有的一种具有光敏传感器的3TFT显示面板平面结构示意图。显示面板90包括光敏晶体管91、驱动晶体管92以及存储电容93,所述光敏晶体管91作为光敏传感器,但是其栅极层为金属,有源层为光敏材料设置在栅极层上方,导致位于栅极层下方一侧的光线无法传输至有源层,导致光敏传感器灵敏性低。而且该结构导致不能将光敏晶体管91设置在彩膜基板上实现光敏传感器的功能,光敏晶体管91仅能设置在阵列基板上接收来自阵列基板正面的光线实现光敏传感器的功能,不能将光敏晶体管91设置在彩膜基板上接收来自彩膜基板背面的光线实现光敏传感器的功能。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种光敏晶体管、彩膜基板及其制作方法,能够有效解决现有光敏传感器结构导致其灵敏性低的技术问题,以及解决光敏晶体管仅能设置在阵列基板上接收来自阵列基板正面的光线实现光敏传感器的功能,而不能将光敏晶体管设置在彩膜基板上接收来自彩膜基板背面的光线实现光敏传感器的功能的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种光敏晶体管,包括透光基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层;所述栅极层设于所述透光基板上,所述栅极层具有透光区;所述栅极绝缘层设于所述透光基板上且完全覆盖所述栅极层;所述有源层设于所述栅极绝缘层上,所述有源层具有沟道区;所述沟道区与所述透光区对应设置;所述源漏极层设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的沟道区两端分别电连接。
进一步地,所述栅极层还设有非透光区,所述非透光区环绕所述透光区设置。
进一步地,所述栅极层包括透光层以及金属层;所述透光层设于所述透光基板上;所述金属层设于所述透光层上;所述金属层的中部设有通孔,所述透光区位于所述通孔位置。
进一步地,所述光敏晶体管还包括减反射膜,所述减反射膜设于所述透光基板与所述栅极层之间。
进一步地,所述减反射膜的折射率大于所述透光基板的折射率且小于所述栅极层的透光区的折射率。
进一步地,所述减反射膜的折射率n满足其中n为所述减反射膜的折射率,n1为所述透光基板的折射率,n2为所述栅极层的透光区的折射率。
进一步地,所述减反射膜的厚度e满足其中λ为绿光的波长,n为所述减反射膜的折射率,k为自然整数。
进一步地,所述有源层的材质包括非晶硅或铟镓锌氧化物。
本发明还提供一种彩膜基板,其包括前文任一项所述的光敏晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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