[发明专利]光敏晶体管、彩膜基板及其制作方法在审
申请号: | 202110003419.2 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112864172A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 莫超德 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 晶体管 彩膜基板 及其 制作方法 | ||
1.一种光敏晶体管,其特征在于,包括:
透光基板;
栅极层,设于所述透光基板上,所述栅极层具有透光区;
栅极绝缘层,设于所述透光基板上且完全覆盖所述栅极层;
有源层,设于所述栅极绝缘层上,所述有源层具有沟道区,所述沟道区与所述透光区对应设置;以及
源漏极层,设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的沟道区两端分别电连接。
2.根据权利要求1所述的光敏晶体管,其特征在于,所述栅极层包括:
透光层,设于所述透光基板上;以及
金属层,设于所述透光层上;所述金属层的中部设有通孔,所述透光区位于所述通孔位置。
3.根据权利要求1所述的光敏晶体管,其特征在于,还包括:
减反射膜,设于所述透光基板与所述栅极层之间。
4.根据权利要求3所述的光敏晶体管,其特征在于,所述减反射膜的折射率大于所述透光基板的折射率且小于所述栅极层的透光区的折射率。
5.根据权利要求3所述的光敏晶体管,其特征在于,所述减反射膜的折射率n满足其中n为所述减反射膜的折射率,n1为所述透光基板的折射率,n2为所述栅极层的透光区的折射率。
6.根据权利要求3所述的光敏晶体管,其特征在于,所述减反射膜的厚度e满足其中λ为绿光的波长,n为所述减反射膜的折射率,k为自然整数。
7.一种彩膜基板,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的光敏晶体管。
8.根据权利要求7所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括驱动晶体管以及黑色矩阵层,所述驱动晶体管与所述光敏晶体管同层设置;所述黑色矩阵层对应设于所述驱动晶体管及所述光敏晶体管的上方。
9.一种权利要求7所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
在所述透光基板上制作栅极层,所述栅极层具有透光区;
在所述透光基板上制作栅极绝缘层,所述栅极绝缘层完全覆盖所述栅极层;
在所述栅极绝缘层上制作有源层,所述有源层具有沟道区,所述沟道区与所述透光区对应设置;以及
在所述栅极绝缘层上制作源漏极层,所述源漏极层与所述有源层的沟道区两端分别电连接。
10.根据权利要求9所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,在制作源漏极层之后还包括:
在所述源漏极层上制作钝化层,并通过黄光工艺及干法刻蚀工艺或者通过曝光/显影、高温硬化方式形成过孔;
在所述钝化层上用磁控溅射沉积工艺形成一层氧化铟锡薄膜,并通过黄光工艺及湿法刻蚀工艺形成像素电极层;
在所述像素电极层上用光刻工艺制作黑色矩阵层;以及
在所述黑色矩阵层上用光刻工艺制作彩膜隔垫物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110003419.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的