[发明专利]半导体元件的制备方法在审
| 申请号： | 202110002567.2 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN113206046A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 黄至伟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制备 方法 | ||
1.一种半导体元件的制备方法，包括：
产生至少一沟槽在一基底中；
形成一介电膜在该沟槽中的该基底上；
沉积一第一导电层在该介电膜上以部分充填该沟槽；
沉积一隔离膜在该第一导电层上，其中该第一导电层围绕位在该沟槽中的该隔离膜；
沉积一第二导电层在该隔离膜上，其中该隔离膜围绕位在该沟槽中的该第二导电层；以及
凹陷该第一导电层，直到完全移除该隔离膜为止，以形成至少一字元线。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中，该字元线的一顶表面是低于该基底的一上表面。
3.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括引入多个掺杂物进入该基底，以形成多个杂质区，该多个杂质区是以该沟槽而分开设置。
4.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括沉积一盖层以覆盖该字元线。
5.如权利要求4所述的半导体元件的制备方法，其中，该沟槽的产生包括：
形成一牺牲层在该基底上；
产生至少一开孔穿经该牺牲层；以及
经由该开孔蚀刻该基底以形成该沟槽。
6.如权利要求5所述的半导体元件的制备方法，其中，在该盖层沉积之后，移除该牺牲层。
7.如权利要求5所述的半导体元件的制备方法，还包括：
在该牺牲层形成之前，形成一缓冲层在该基底上；以及
在移除该牺牲层之后，移除该缓冲层，其中该介电膜与该缓冲层包含相同材料。
8.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中，该第一导电层凹陷的同时，是完全移除该第二导电层。
9.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，还包括：
在该第一导电层沉积之前，沉积一扩散阻障层在该介电膜上；以及
在该第一导电层凹陷之后，凹陷该扩散阻障层到该字元线的一顶表面下。
10.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中，该第二导电层是完全充填该沟槽。
11.如权利要求4所述的半导体元件的制备方法，其中，在该字元线形成之后，该介电膜经由该基底与该盖层暴露。
12.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中，该第一导电层与该第二导电层包含相同材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
