[发明专利]一种OLED显示面板及OLED显示装置有效
申请号: | 202110002183.0 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112750846B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 宋月龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/50 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种OLED显示面板和OLED显示装置,OLED显示面板包括屏下摄像头区域,屏下摄像头区域包括像素区域和非像素区域,其中,OLED显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列基板层以及发光功能层;阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层,像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层在基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。本申请通过设置阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层,且设置像素区域在基板所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层在基板所在平面上的垂直投影的覆盖范围内,实现在激光照射CUP区域时,激光被至少一个反射层吸收或反射,避免激光照射到OLED显示面板的发光功能层上,导致发光功能层受损。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板及OLED显示装置。
背景技术
由于用户对屏占比的极致追求,屏下摄像头(Camera under Panel,CUP)技术应运而生。
现有带有屏下摄像头的显示面板的CUP区域使用的基板为由两层聚酰亚胺(Polyimide,PI)制成的黄色基板,在拍照时照片发黄严重。因此,导入全新工艺将两层黄色PI去除一层,以此增加蓝光透过率解决照片偏黄问题。但全新工艺需要使用激光照射CUP区域,激光功率发生波动时会使显示面板的发光功能层受损。
因此,急需寻求一种OLED显示面板及OLED显示装置解决现有技术中存在的使用激光照射形成CUP区域时,导致显示面板发光功能层受损的技术问题。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板及OLED显示装置,旨在解决现有技术存在的使用激光照射形成CUP区域时,导致显示面板发光功能层受损的技术问题。
第一方面,本申请提供一种OLED显示面板,包括用于形成屏下摄像头的屏下摄像头区域,所述屏下摄像头区域包括像素区域和非像素区域,其中,所述OLED显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列基板层以及发光功能层;
所述阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层,所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述至少一层反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
在本申请一些实现方式中,所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影与所述至少一层反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
在本申请一些实现方式中,所述阵列基板层包括第一反射层和第二反射层,所述第一反射层和所述第二反射层不同层设置;所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
在本申请一些实现方式中,所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
在本申请一些实现方式中,所述阵列基板层还包括:
缓冲层,设置于所述基板靠近所述发光功能层的一侧;
半导体层,设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧;
第一绝缘层,设置于所述半导体层远离所述缓冲层的一侧;
栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧;
第一层间介质层,设置于所述栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
第二层间介质层,设置于所述第一层间介质层远离所述栅极层的一侧;
源漏极金属层,设置于所述第二层间介质层远离所述第一层间介质层的一侧,所述源漏极金属层通过第一过孔和第二过孔与所述半导体层电连接;
钝化层,设置于所述源漏极金属层远离所述第二层间介质层的一侧;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的