[发明专利]一种OLED显示面板及OLED显示装置有效
申请号: | 202110002183.0 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112750846B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 宋月龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/50 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,包括用于形成屏下摄像头的屏下摄像头区域,所述屏下摄像头区域包括像素区域和非像素区域,其特征在于,所述OLED显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列基板层以及发光功能层;
所述阵列基板层包括用于吸收或反射激光的第一反射层和第二反射层,所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内;
其中,所述阵列基板层还包括:
缓冲层,设置于所述基板靠近所述发光功能层的一侧;
半导体层,设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧;
第一绝缘层,设置于所述半导体层远离所述缓冲层的一侧;
栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧;
其中,所述栅极层包括:
第一栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧;
第二绝缘层,设置于所述第一栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
第二栅极层,设置于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层的一侧;
其中,所述第一反射层与所述第一栅极层同层设置且材料相同,所述第二反射层与所述第二栅极层同层设置且材料相同;
其中,所述发光功能层包括:
阳极层,所述阳极层通过第三过孔与所述阵列基板层电连接;
有机发光层,设置于所述阳极层远离所述阵列基板层的一侧;
像素定义层,设置于所述有机发光层远离所述阳极层的一侧,所述像素定义层形成所述像素区域;
阴极层,设置于所述像素定义层远离所述有机发光层的一侧;
封装层,设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧;
其中,所述封装层包括沿远离所述阴极层一侧凸起的第一堤坝部和第二堤坝部,所述像素区域位于所述第一堤坝部和所述第二堤坝部之间。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影与所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阵列基板层还包括:
第一层间介质层,设置于所述栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
第二层间介质层,设置于所述第一层间介质层远离所述栅极层的一侧;
源漏极金属层,设置于所述第二层间介质层远离所述第一层间介质层的一侧,所述源漏极金属层通过第一过孔和第二过孔与所述半导体层电连接;
钝化层,设置于所述源漏极金属层远离所述第二层间介质层的一侧。
5.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任意一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的