[发明专利]包括具有六边形轮廓的晶胞的横向半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件(100、200、300)，包括：

管芯层(110)，包括主表面(111)；

多个第一端子(101、S)，安装在所述管芯层(110)的所述主表面(111)上，其中，所述第一端子(101、S)形成具有六边形轮廓的晶胞(105)的栅格，所述晶胞跨所述管芯层(110)的所述主表面(111)并排布置；

多个第二端子(102、G)，安装在所述管芯层(110)的所述主表面(111)上，其中，每个第二端子(102、G)形成布置在相应第一端子(101、S)的晶胞内的六边形轮廓，其中，所述第二端子与所述第一端子(101、S)之间存在间隙；

多个第三端子(103、D)，安装在所述管芯层(110)的所述主表面(111)上，其中，每个第三端子(103、D)形成为六边形并布置在相应第二端子(102、G)的六边形轮廓内，其中，在所述第三端子(103、D)与所述第二端子(102、G)之间存在第二间隙；以及

至少两个金属化层(M1、M2)，布置在所述多个第一端子(101、S)、所述多个第二端子(102、G)、以及所述多个第三端子(103、D)上，用于接收来自所述多个第一端子、所述多个第二端子、以及所述多个第三端子的电流。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(100)，

其中，第一金属化层(M1)包括彼此分隔开的第一部分(121)、第二部分(122)、以及第三部分(123)，

其中，所述第一金属化层(M1)的所述第一部分(121)覆盖每个第一端子(101、S)的至少部分，以接收来自所述多个第一端子(101、S)的电流，

其中，所述第一金属化层(M1)的所述第二部分(122)覆盖每个第二端子(102、G)的至少部分，以接收来自所述多个第二端子(102、G)的电流，

其中，所述第一金属化层(M1)的所述第三部分(123)覆盖每个第三端子(103、D)的至少部分，以接收来自所述多个第三端子(103、D)的电流。

3.根据权利要求2所述的半导体器件(100)，

其中，在所述第一金属化层(M1)上布置第二金属化层(M2)，所述第二金属化层(M2)包括彼此分隔开的第一部分(131)、第二部分(132)、以及第三部分(133)，

其中，所述第一金属化层(M1)的所述第一部分(121)连接到所述第二金属化层(M2)的所述第一部分(131)，以将从所述多个第一端子(101、S)提取的电流路由到另一实体，

其中，所述第一金属化层(M1)的所述第二部分(122)连接到所述第二金属化层(M2)的所述第二部分(132)，以将从所述多个第二端子(102、G)提取的电流路由到另一实体，

其中，所述第一金属化层(M1)的所述第三部分(123)连接到所述第二金属化层(M2)的所述第三部分(133)，以将从所述多个第三端子(103、D)提取的电流路由到另一实体。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件(100)，

其中，所述第二金属化层(M2)的所述第一部分(131)形成为覆盖所述多个第一端子(101、S)的六边形轮廓的部分的波浪形，

其中，所述第二金属化层(M2)的所述第二部分(132)形成为覆盖所述多个第二端子(102、G)的六边形轮廓的部分的波浪形，

其中，所述第二金属化层(M2)的所述第三部分(133)形成为覆盖所述多个第三端子(103、D)的六边形的波浪形。

5.根据权利要求4所述的半导体器件(100)，

其中，在所述第一金属化层(M1)与所述第二金属化层(M2)之间布置隔离层，

其中

所述第一金属化层(M1)的所述第一部分(121)与所述第二金属化层(M2)的所述第一部分(131)之间的连接，

所述第一金属化层(M1)的所述第二部分(122)与所述第二金属化层(M2)的所述第二部分(132)之间的连接，以及

所述第一金属化层(M1)的所述第三部分(123)与所述第二金属化层(M2)的所述第三部分(133)之间的连接

由穿过所述隔离层的通孔(106)形成。