[发明专利]收集器流动环

说明书

提供了用于收集器流动环(CFR)壳体的系统、设备和方法，收集器流动环(CFR)壳体被配置为减轻燃料碎屑在极紫外(EUV)辐射系统中的积聚。示例CFR壳体可以包括多个喷头流动通道出口，该多个喷头流动通道出口被配置为在CFR壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动。示例CFR壳体还可以包括檐槽清洗流动通道出口，该檐槽清洗流动通道出口被配置为在CFR壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动。示例CFR壳体还可包括被配置为支持护罩组装件的护罩安装结构、被配置为输送流体的冷却流动通道、以及被配置为接纳多个光学量测管的多个光学量测端口。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月23日提交的题为“COLLECTOR FLOW RING”的美国申请No.62/953,067的优先权；并且还要求于2020年2月5日提交的题为“COLLECTOR FLOW RING”的美国申请No.62/970，497的优先权，这两个申请通过引用被整体并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于极紫外(EUV)辐射系统的收集器和收集器流动环。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(或者被称为掩模或掩模板)可以用于生成要在IC的单个层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个裸片的部分)上。图案的转移通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(扫描方向)上通过辐射束扫描图案同时同步地平行或反平行于(即反向于)该扫描方向扫描目标部分来辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底。

极紫外(EUV)光(例如，具有约50纳米(nm)或更小波长的电磁辐射(有时也被称为软X射线)，并且包括波长为大约13nm的光)可以被用于光刻装置中或与光刻装置一起使用，以在衬底(例如硅晶片)中或上产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不一定限于将包括具有在EUV范围内的发射线的元素(例如氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子态。例如，在一种被称为激光产生的等离子体(LPP)的此类方法中，可以利用可以被称为驱动激光的经放大光束通过辐射靶材料来产生等离子体，该靶材料在LPP源的上下文中可互换地被称为燃料(例如以材料的微滴、板、带、流或簇的形式)。对于此过程，等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。

在传统的锡基辐射源容器内，许多功能(诸如保护性氢气(H2)，热屏蔽和精确的护罩安装)也必须允许量测视场(FOV)和微滴路径间隙，同时防止锡积聚。目前，有许多单独的模块用于单独地解决这些问题中的每个问题。例如，有源热屏蔽吸收不需要的热通量，周边流动环和收集器模块提供护罩安装和周边H2流动，并且这些模块内的切口允许量测FOV和偏转杂散光。然而，在这种传统辐射源容器上没有硬件在流动叶片下方提供喷头流动。此外，没有办法将(i)单个模块或(ii)修改添加到允许增加喷头流动保护的当前模块。

发明内容

本公开描述了用于制造和使用收集器流动环(CFR)壳体的系统、设备和方法的各个方面，该收集器流动环(CFR)壳体被配置为：减轻燃料碎屑的积聚，移除热量，并且在极紫外(EUV)辐射系统中提供光学量测和各个其他方面。