[发明专利]大规模并行组装方法在审
申请号: | 202080085529.1 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN114868239A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 汉斯-赫尔曼·奥珀曼;凯·佐施克;查尔斯-阿里克斯·曼尼耶 | 申请(专利权)人: | 杜塞尔多夫华为技术有限公司;德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00;H01L25/075 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 王君;肖鹂 |
地址: | 德国杜*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大规模 并行 组装 方法 | ||
本申请提供了一种用于制造设备的方法,包括提供第一载体,第一载体通过第一载体的粘合剂层附着多个芯片,多个芯片的第一表面附着到第一载体。此外,方法包括通过传送层的结构化粘合剂层选择性地将多个芯片的子集的第二表面附着到传送载体。此外,方法包括通过脱粘第一载体的粘合剂层的对应部分,选择性地从第一载体释放多个芯片的子集。此外,方法包括将多个芯片的子集的第一表面附着到设备的衬底。此外,方法包括通过脱粘传送载体的结构化粘合剂层的至少对应部分,从传送载体释放多个芯片的子集。因此,选择性地从第一载体释放多个芯片的适当子集和从传送载体释放多个芯片的适当子集两个操作中的至少一个操作是通过激光脱粘进行的。
实施例涉及一种用于制造设备的方法,具体地,涉及一种支持将多个芯片并行附着到衬底的方法。一些实施例涉及大规模并行组装。
通常,为了在衬底上粘接芯片,芯片通过针从具有粘合剂膜的裸晶片上单独切割下来,接收在真空工具中,相对于衬底对准在准确的位置,并在例如热步骤中通过粘附、焊接或压力焊接或摩擦焊接而连接。如果芯片尺寸变得非常小,例如边缘长度小于250μm,则在切割和接收期间的处理变得比较困难。由于要粘接多个芯片(例如,几千个芯片),衬底的整体装载时间增加,因此这种方法变得越来越不经济。
从[1]中,已知不同的方法用于实现相同构件的并行组装,这些方法在有限的程度上可用。
因此,本发明的目的是改善现状。
该目的通过独立权利要求解决。
从属权利要求中涉及有利的实现方式。
实施例提供了一种用于制造设备的方法。该方法包括提供第一载体[例如,玻璃载体/玻璃晶片],所述第一载体通过所述第一载体的粘合剂层[例如,设置在所述载体[例如,表面]上]附着多个芯片[例如,μLED],所述多个芯片的第一表面附着到所述第一载体。此外,该方法包括通过传送层的结构化粘合剂层[例如,设置在所述传送载体[例如,表面]上]选择性地将所述多个芯片的子集[例如,适当子集]的第二表面[例如,与所述第一表面相反]附着到传送载体[例如,玻璃载体/玻璃晶片]。此外,该方法包括通过脱粘[例如,激光脱粘]所述第一载体的所述粘合剂层的对应部分[例如,所述多个芯片的所述子集[例如,适当子集]附着到的所述第一载体的所述粘合剂层的部分][例如,清洗所述多个芯片的所述子集的所述第一表面],选择性地从所述第一载体释放所述多个芯片的所述子集[例如,适当子集]。此外,该方法包括将多个芯片的子集[例如,适当子集]的第一表面附着到设备的衬底。此外,该方法包括通过脱粘[例如,激光脱粘]所述传送载体的所述结构化粘合剂层的至少对应部分[所述传送层的所述粘合剂层的部分,所述多个芯片的适当子集附着到所述部分],从所述传送载体释放所述多个芯片的所述子集[例如,所述适当子集]。因此,选择性地从所述第一载体释放所述多个芯片的适当子集和从所述传送载体释放所述多个芯片的所述适当子集两个操作中的至少一个操作是通过激光脱粘进行的。
实施例支持并行高精度组装。
在实施例中,多个芯片是二维芯片阵列。
在实施例中,所述多个芯片的所述子集[例如,适当子集]由二维图案定义。
在实施例中,根据所述二维图案,从所述二维芯片阵列中,在行方向上和/或在列方向上,以至少每隔一个或每隔两个的方式交替选择芯片,以获得所述芯片的所述子集[例如,适当子集]。
在实施例中,该方法还包括:为所述传送载体提供设置在所述传送载体上的粘合剂层;根据定义所述芯片的所述子集[例如,适当子集]的所述二维图案构造所述传送载体的所述粘合剂层,以获得所述传送层的所述结构化粘合剂层。
在实施例中,将所述多个芯片的所述子集[例如,适当子集]的所述第一表面附着到所述设备的所述衬底包括将所述多个芯片的所述子集粘接到所述设备的所述衬底。
在实施例中,所述多个芯片的所述第一表面包括金属化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造