[发明专利]大规模并行组装方法

权利要求书

1.一种用于制造设备的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一载体，所述第一载体通过所述第一载体的粘合剂层附着多个芯片，所述多个芯片的第一表面附着到所述第一载体；

通过传送层的结构化粘合剂层，选择性地将所述多个芯片的子集的第二表面附着到所述传送载体；

通过脱粘所述第一载体的所述粘合剂层的对应部分，选择性地从所述第一载体释放所述多个芯片的所述子集；

将所述多个芯片的所述子集的所述第一表面附着到所述设备的衬底；

通过脱粘所述传送载体的所述结构化粘合剂层的至少对应部分，从所述传送载体释放所述多个芯片的所述子集；

其中，选择性地从所述第一载体释放所述多个芯片的所述适当子集和从所述传送载体释放所述多个芯片的所述适当子集两个操作中的至少一个操作是通过激光脱粘进行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述多个芯片是二维芯片阵列。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述多个芯片的所述子集由二维图案定义。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

根据所述二维图案，从所述二维芯片阵列中，在行方向上和/或在列方向上，以至少每隔一个或每隔两个的方式交替选择芯片，以获得所述芯片的所述子集。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，

所述方法还包括：

为所述传送载体提供设置在所述传送载体上的粘合剂层；

根据定义所述芯片的所述子集的所述二维图案构造所述传送载体的所述粘合剂层，以获得所述传送层的所述结构化粘合剂层。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

将所述多个芯片的所述子集的所述第一表面附着到所述设备的所述衬底包括将所述多个芯片的所述子集粘接到所述设备的所述衬底。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述多个芯片的所述第一表面包括金属化层。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

所述多个芯片的所述子集的所述第一表面包括金属化层，所述金属化层上设置有AuSn焊料层堆叠，

将所述多个芯片的所述子集的所述第一表面附着到所述设备的所述衬底包括在至少280℃的温度下将所述多个芯片的所述子集焊接到所述设备的所述衬底。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，

所述第一载体是处理载体。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，

所述第一载体是供体载体，

提供所述供体载体包括：

提供处理载体，所述处理载体通过所述处理载体的粘合剂层附着所述多个芯片，所述多个芯片的所述第二表面附着到所述处理载体；

通过所述供体载体的所述粘合剂层，将所述多个芯片的所述第一表面或所述多个芯片的适当子集附着到所述供体载体；

通过激光脱粘所述处理载体的所述粘合剂层的至少对应部分，从所述处理载体上释放所述多个芯片或所述多个芯片的所述适当子集。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

提供所述供体载体还包括：

在将所述多个芯片的所述第一表面附着到所述供体载体之前，在所述设备的所述第一表面上提供金属化层；或

在将所述多个芯片的所述第一表面附着到所述供体载体之前，在所述设备的所述第一表面上提供金属化层，并且在所述金属化层上提供AuSn焊料层堆叠。