[发明专利]处理条件确定方法、基板处理方法、基板制品制造方法、计算机程序、存储介质、处理条件确定装置及基板处理装置在审
| 申请号: | 202080084200.3 | 申请日: | 2020-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN114746987A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 稻木大;岛野达矢;太田乔 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
| 代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王佳媛 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 条件 确定 方法 制品 制造 计算机 程序 存储 介质 装置 | ||
在本发明的处理条件确定方法中,从多个处理程式信息中确定出一边移动处理液的喷出位置一边处理基板W时能够使用的处理程式信息。处理条件确定方法包括工序S31、工序S32以及工序S33。在工序S31中,基于包括基板W的厚度的测定值的测定厚度信息,针对多个处理程式信息中的每一个处理程式信息,计算出包括基板W的处理后的厚度的预测值的预测厚度信息。在工序S32中,按照规定评价方法来评价针对多个处理程式信息而分别计算出的多个预测厚度信息,并从多个预测厚度信息中选择预测厚度信息。在工序S33中,确定出与所选择的预测厚度信息对应的处理程式信息。测定厚度信息中包括的测定值表示在基板W的处理前测定的基板W的厚度。
技术领域
本发明涉及一种处理条件确定方法、基板处理方法、基板制品制造方法、计算机程序、存储介质、处理条件确定装置及基板处理装置。
背景技术
专利文献1中记载的基板处理装置具有具有喷嘴体的臂体以及控制装置。控制装置以如下方式控制臂体的移动速度,即,当喷嘴体从基板的周边部朝向中心部时,逐渐增加臂体的移动速度,当从中心部朝向周边部时,逐渐降低移动速度。因此,能够向基板的周边部供给比中心部更多的处理液。其结果,能够使处理液以大致相同的时间停留于基板的中心部与周边部。由此,能够使利用处理液对基板进行的处理均匀化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-067819号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在专利文献1中记载的基板处理装置中,经处理液处理后的基板的表面可能变得不平坦。其原因在于:可能存在处理液处理前的基板的表面形状不平坦的情况。例如,在对处理液处理前的基板进行机械研磨的情况下,可能存在基板的表面形状不平坦的情况。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于,提供一种能够实现处理后的基板表面接近平坦的利用处理液进行的处理的处理条件确定方法、基板处理方法、基板制品制造方法、计算机程序、存储介质、处理条件确定装置及基板处理装置。
用于解决问题的手段
根据本发明的一形态,在处理条件确定方法中,从多个处理条件中确定出一边沿着作为处理对象的基板的对象基板的径向移动处理液的喷出位置一边处理所述对象基板时能够使用的处理条件。处理条件确定方法包括以下工序:基于包括所述对象基板的径向上的多个位置处的厚度的测定值的测定厚度信息,针对所述多个处理条件中的每一个处理条件,计算出包括所述对象基板的所述多个位置处的处理后的厚度的预测值的预测厚度信息;按照规定评价方法来评价针对所述多个处理条件而分别计算出的多个所述预测厚度信息,并从所述多个预测厚度信息中选择预测厚度信息;以及确定出与所述选择的预测厚度信息对应的所述处理条件。所述测定厚度信息中包括的所述测定值,表示在利用所述处理液对所述对象基板进行处理之前沿着所述对象基板的径向而测定的所述对象基板的厚度。
本发明的处理条件确定方法,优选还包括如下工序:基于所述选择的预测厚度信息所包括的多个所述预测值中在所述对象基板的径向的端区域中的预测值的最大值,计算出端区域处理时间。优选所述端区域处理时间是表示针对所述对象基板的所述端区域的处理时间,且表示在所述处理液的喷出位置被固定的状态下的处理时间。
在本发明的处理条件确定方法中,优选在计算出所述端区域处理时间的工序中,基于在所述对象基板的所述端区域中的所述预测值的所述最大值、所述对象基板的目标厚度值以及处理系数,计算出所述端区域处理时间。优选所述处理系数预先被设定,且表示利用所述处理液进行的每单位时间的基板的处理量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





